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公开(公告)号：CN115266488A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210673195.0
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆表面颗粒度标准样片的制备方法及标准样片。该方法包括基于已确定尺寸的晶圆片，制作颗粒度标准样板结构图；所述颗粒度标准样板结构图中包括多个不同尺寸的圆柱阵列；按照所述颗粒度标准样板结构图制作目标掩模板，并利用光刻工艺，将所述目标掩模板上的图形转移到所述晶圆片上，得到目标晶圆片；采用刻蚀工艺对所述目标晶圆片进行刻蚀，得到晶圆表面颗粒度标准样片。本发明能够提高晶圆表面颗粒度标准样片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114113716A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291928.6
申请日：2021-11-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种空气共面射频微波探针及其制备方法，属于微波/毫米波在片测试技术领域，制备方法包括以下步骤：将微同轴电缆一端的外导体和介质层按预设长度剥离，得到预设长度的内导体插入端；将内导体插入端插入射频同轴连接器的中心空腔内；将射频同轴连接器安装至第一探针主体；将第二探针主体安装至第一探针主体，使得微同轴电缆按预设路径从第二探针主体伸出；将微同轴电缆的伸出端斜切至漏出内导体，得到电缆对接端；将带有辅助片的微波探针尖连接至电缆对接端；将辅助片去除，得到空气共面射频微波探针。如此可以提高工作频率，不再局限于理论研究和部分结构计算，能够将空气共面射频微波探针整个地制备出来，缩短了国内外研究差距。
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公开(公告)号：CN110322487B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910615311.1
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设比例系数的缩小更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN112097952A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010872416.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间，且位于所述准直透镜的焦面上；所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN110286345B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110298834A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN108414121A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810166861.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括将第一硅片与第二硅片贴合形成密封腔体；将衬底上的GaN外延层剥离形成GaN薄膜；其中，GaN外延层由下至上包括GaN缓冲层和势垒层；将所述GaN薄膜与密封腔体键合形成压力传感器基底；在所述GaN薄膜上形成压力敏感单元。本发明通过激光剥离工艺将GaN外延层从衬底上剥离形成GaN薄膜，并在第一硅片上制备凹槽，将第一硅片与第二硅片键合形成密封腔体，然后将GaN薄膜与密封腔体键合，并在GaN薄膜上制备压力敏感单元形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN111394776B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010265703.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶圆双面电镀自锁紧挂具，属于半导体电镀领域，包括承载片、用于将晶圆压紧固定在承载片上的压紧片、以及设置在承载片与压紧片之间的锁紧机构，承载片上设置有用于容纳晶圆的圆形凹槽，圆形凹槽的底部还设置有用于将晶圆与外部电路连通的导电环，压紧片上设置有与圆形凹槽适配的压紧凸起，圆形凹槽的底部设置有贯穿承载片的第一让位孔，压紧片上设置有贯穿压紧片与压紧凸起的第二让位孔。本发明提供的晶圆双面电镀自锁紧挂具，通过设置第一让位孔与第二让位孔使晶圆的两侧面均可以接触到电镀液，使晶圆在电镀过程中可以实现双面同时电镀，提高了晶圆电镀的工作效率。
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公开(公告)号：CN115198368B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN113962876B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110832665.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/80
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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