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公开(公告)号：CN111934868B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010824987.4
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04L9/08
Abstract: 一种用于量子密钥分发的解码芯片，包括：输入波导，用于接收传输待解码的光信号；定向耦合器，包括第一定向耦合器、第二定向耦合器以及第三定向耦合器，所述第一定向耦合器用于将输入光分成两束光，第二定向耦合器及第三定向耦合器用于实现光量子干涉；相位调制器，包括第一相位调制器以及第二相位调制器，用于对光信号相位进行调制；延时线结构，用于使光信号产生延时，同时抑制温度对误码率的影响；输出波导，用于输出解调后的光信号。本发明的解码芯片可实现分束比可调，使双时间隙脉冲光功率平衡，因而优化干涉可见度，减小误码率。本发明的解码芯片的干涉可见度相对于温度变化不敏感，即由光器件引起的误码率相对于温度变化不敏感。
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公开(公告)号：CN112987183A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110439616.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提出一种层间耦合器，包括：第一波导层、中包层和第二波导层。其中，第一波导层由第一波导、第一渐变型波导和第二渐变型波导依次连接构成；第一渐变型波导的宽度逐渐变窄，第二渐变型波导的宽度逐渐变宽；第二波导层由第二波导、第三渐变型波导和第四渐变型波导依次连接构成；第三渐变型波导的宽度逐渐变窄，第四渐变型波导的宽度逐渐变宽；第一渐变型波导与第四渐变型波导、第二渐变型波导与第三渐变型波导分别呈中心对称分布，第一渐变型波导和第二渐变型波导与第三渐变型波导和第四渐变型波导的空间交叠部分形成层间耦合区。该层间耦合器可以在保证较高的耦合效率的情况下缩短耦合长度，并且对工艺的偏差具有一定的容忍度。
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公开(公告)号：CN110411715B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910693028.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于确定AMZI相位调制器半波电压的装置，包括：依次连接的激光器(1)、光斩波器(2)、待测AMZI(3)以及光功率计(4)；以及信号发生器(5)，电压源(6)以及温度控制器(7)，其中，信号发生器(5)与光斩波器(2)连接，信号发生器(5)向光斩波器(2)发送调制方波信号，以使光斩波器(2)在调制方波信号的作用下将激光调制成光脉冲序列，电压源(6)与待测AMZI(3)中的相位调制器连接。改变电压值至功率值变化覆盖一次最小值与最大值为止，此最大、最小值分别对应的电压之差即为半波电压。该装置结构简单，成本低，易于操作，可以快速测出AMZI相位调制器的半波电压。
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公开(公告)号：CN110266393A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910693026.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于确定AMZI偏振无关温控条件的装置及方法，包括激光器(1)、光斩波器(2)、扰偏器(3)、可调光衰减器(4)、待测AMZI(5)、偏振分束器(6)、门控式单光子探测器(7)、信号发生器(8)、温度控制器(9)、计算机(10)以及光功率计(11)。利用该方法可以分别确定在偏振分束器(6)的TE模分量和TM模分量下温度与单光子探测计数的关系曲线，比较两个关系曲线相位相同点对应的温度区域即得AMZI单光子干涉偏振无关的温控条件。
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公开(公告)号：CN107359157A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710500368.8
申请日：2017-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/49838 , H01L23/49866
Abstract: 本公开提供了一种用于光电探测器的封装结构，利用常见的贴片式电阻电容和相应电极，实现了光电流转电压的功能，从而避免了集成跨阻芯片的使用，简化了制作工艺，减少了封装成本与周期。并且由于薄膜电路可重构性较强，对于尺寸与结构设计的灵活性大大加强，从而适用于多种光电探测器的封装场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102253450B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110155033.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
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公开(公告)号：CN102506911A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110289307.4
申请日：2011-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光学微腔传感器，包括：一第一3dB光分束器和一第二3dB光分束器；一传感微腔，该传感微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口1耦合，该传感微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口1耦合；一参考微腔，该参考微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口2耦合，该参考微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口2耦合；一样品槽，该样品槽用于容置传感微腔；一参考槽，该参考槽用于容置参考微腔；其中传感微腔与参考微腔的自由频谱宽不同，入射光由第一3dB光分束器输入，经分束后分别与传感微腔和参考微腔相耦合；耦合进入传感微腔和参考微腔的光分别耦合进入第二3dB光分束器的端口1和端口2，两束光经第二3dB光分束器干涉后作为传感信号输出。
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公开(公告)号：CN102005696B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010500489.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依次连接的第一槽状波导、第二槽状波导和第三槽状波导，其中作为微腔的第二槽状波导的宽度大于第一槽状波导及第三槽状波导的宽度。这种结构能够将集光子晶体模式禁带局域模式限制效应、慢光效应及槽状波导的强场限制效应三者结合起来，能大幅度提高光与发光材料的相互作用，从而大幅度增强硅基的发光效率，进而实现低阈值激射。
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公开(公告)号：CN100535695C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610141032.9
申请日：2006-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种混合集成单纤三向器，包括：一衬底；一粗波分复用器制作在衬底的上面；一第一输入波导制作在衬底上；一输出波导制作在衬底上，位于粗波分复用器的另一侧；一波导制作在衬底上；一第二输入波导制作在衬底上，其一端与粗波分复用器相连，另一端与激光器相连；一激光器混合集成在衬底上，该激光器的输出端连接于第二输入波导；一监视探测器混合集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与激光器的另一端相连接；一集成分波/探测器混合集成在衬底上，该集成分波/探测器分别与输出波导和波导相连接；一探测器混合集成在衬底上，该探测器与波导的尾端相连接。
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