公开(公告)号：CN112030225A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010485796.X

申请日：2020-06-01

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  吉本昌广

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明提供能够将雾高效地供给到外部的技术。雾发生装置具备贮存槽、多个超声波换能器、雾送出通道和雾收集管。贮存槽贮存溶液。超声波换能器设置在贮存槽的下部，向在贮存槽内贮存的溶液施加超声波振动，从而在贮存槽内产生溶液的雾。雾送出通道从贮存槽的内部向贮存槽的外部送出雾。雾收集管配置在贮存槽内的溶液的上方，雾收集管的上端部与雾送出通道的上游端连接，在雾收集管的下端部设置有开口部，随着从上端部往开口部，雾收集管的宽度扩大。多个超声波换能器位于开口部的正下方。

公开(公告)号：CN111947582A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010409491.0

申请日：2020-05-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  吉本昌广

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种高精度地测定层叠的两个半导体层中位于上层的半导体层的膜厚的新技术。本说明书公开的膜厚测定方法使用膜厚测定装置测定覆盖第一半导体层的表面的第二半导体层的膜厚。第一半导体层和第二半导体层由相同的主体材料制成，为相同的导电类型。膜厚测定装置配置为，从光源照射的光由半反射镜反射之后，被固定在基台上的半导体基板反射，由半导体基板反射后的光穿过半反射镜入射到光检测器。由半导体基板反射的光包括由第二半导体层的表面反射的第一反射光、以及由第二半导体层与第一半导体层之间的分界面反射的第二反射光。膜厚计算器基于光检测器检测出的光，计算第二半导体层的膜厚。

公开(公告)号：CN111627979A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010123262.2

申请日：2020-02-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  吉本昌广

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/463 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种能够使具有氧化镓基板的半导体装置中的晶体缺陷难以干涉二极管界面且半导体装置小型化的技术。本发明提供一种半导体装置，其具有氧化镓基板和电极。所述氧化镓基板具有由(100)晶面构成的第一侧面、由(100)晶面之外的面构成的第二侧面、以及上表面。所述电极与所述上表面接触。所述氧化镓基板具有由pn界面或肖特基界面构成的二极管界面、以及经由所述二极管界面与所述电极连接的n型漂移区。所述第一侧面与所述二极管界面之间的最短距离比所述第二侧面与所述二极管界面之间的最短距离短。

公开(公告)号：CN111485285A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010078437.2

申请日：2020-02-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  田原大祐 ,  吉本昌广

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明用于利用喷雾使品质稳定的膜在基板的表面生长。本发明公开的成膜装置使膜在基板的表面外延生长。该成膜装置具有：载置所述基板的台；对所述基板进行加热的加热器；喷雾供给源，其供给溶剂中溶解有所述膜的材料的溶液的喷雾；加热气体供给源，其供给加热气体，该加热气体含有与所述溶剂相同材料的气体且温度高于所述喷雾；以及送出装置，其将所述喷雾和所述加热气体朝向所述基板的所述表面送出。

公开(公告)号：CN110050349A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075779.5

申请日：2017-12-12

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  铃木龙太 ,  永冈达司 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在保护环部中，通过在n-型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。

公开(公告)号：CN109107797A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810653882.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司

IPC: B05B12/18 ,  B05B1/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：炉，其内配置基板；第一加热器，其对炉进行加热；喷雾供给装置，其将含有原料溶液的喷雾的载气供给至炉内；以及整流器，其配置在炉内，对含有喷雾的载气的流动进行整流。整流器具有使含有喷雾的载气通过的多个通孔。设置于整流器中的多个通孔朝向配置在炉内的基板延伸。

公开(公告)号：CN108493114A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810146168.1

申请日：2018-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/283 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有欧姆接触层、漂移层及高比电阻层；形成上表面电极的工序，该上表面电极与漂移层及高比电阻层的各上表面接触并且其接触范围的外周缘位于高比电阻层上，该上表面电极至少与所述漂移层进行肖特基接触；及形成下表面电极的工序，该下表面电极与欧姆接触层的下表面进行欧姆接触。在半导体基板中，漂移层位于欧姆接触层的上表面的第一范围上，高比电阻层位于欧姆接触层的上表面的包围第一范围的第二范围上。

公开(公告)号：CN106206755A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365315.5

申请日：2016-05-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/47 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种肖特基势垒二极管，具备：阳极电极，其与半导体基板的表面肖特基接触；阴极电极，其与半导体基板的背面欧姆接触。形成有从所述半导体基板的表面朝向背面延伸的沟槽，沟槽的内表面由绝缘膜覆盖。在沟槽的深部处堆积有绝缘层，并且在沟槽的浅部处堆积有导电层。在半导体基板内设置有：n型的表面侧区域，其与阳极电极相接；n型的背面侧区域，其与阴极电极相接；n型的中间区域，其对表面侧区域和背面侧区域进行连接；p型的区域，其与沟槽的底面相接；导通路径，其将p型的区域连接于所述阳极电极。

公开(公告)号：CN102376709B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。

公开(公告)号：CN102422416A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200980159246.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。