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公开(公告)号：CN1979859B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200610162001.1
申请日：2006-12-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 堀田幸司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/081 , H03K17/08148 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，它设有主开关元件区域的主电极、传感器开关元件区域的传感器电极、以及形成于主电极与传感器电极之间的保护器件。当主电极与传感器电极之间产生预定电位差时，保护器件使主电极与传感器电极电连接。这种半导体器件可以处理超额的电压，例如传感器电极与栅极之间产生的ESD，同时还可以防止栅极驱动损耗增大。
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公开(公告)号：CN1967869B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610165662.X
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，其防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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公开(公告)号：CN110120389A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910098499.7
申请日：2019-01-31
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。本说明书提供一种在收容有半导体元件的半导体模块与冷却器的层叠体由弹簧在层叠方向上加压的半导体装置中利用一个弹簧来缓和向层叠体的端面的中央的压力集中的技术。半导体装置具备层叠体、抵接板及弹簧。抵接板在半导体模块与冷却器的层叠方向上与层叠体相接。弹簧与抵接板相接，经由抵接板而对层叠体在层叠方向上加压。弹簧与抵接板的与层叠方向正交的方向上的中央部相接。在抵接板的面向层叠体的一侧的中央部设置有凹陷。在半导体装置中，抵接板的中央部不与层叠体相接，中央部的两侧对层叠体加压。通过在中央部的两侧对层叠体加压，压力向层叠体的端面的中央部的偏倚得到缓和。
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公开(公告)号：CN100514675C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN1890813A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103702849B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180072492.X
申请日：2011-07-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B60L3/0007 , B60K1/00 , B60K1/04 , B60K2001/0411 , B60L3/0046 , B60L3/0053 , B60L3/0069 , B60L3/04 , B60L11/1803 , B60L11/1868 , B60L11/1877 , B60L11/1879 , B60L11/1883 , B60L11/1896 , B60L11/1898 , B60L2210/40 , B60R16/04 , B60Y2306/01 , Y02T10/7066 , Y02T10/7241 , Y02T90/34
Abstract: 本发明提供一种使配置于前舱内的电力控制器受到的碰撞时的冲击减轻的技术。机动车100在前舱内具备电力控制器4和装置2。电力控制器4和装置2沿机动车横向排列配置。电力控制器4的角部或者突起面向装置2的侧面。在机动车发生了碰撞时，装置2的侧面接触电力控制器4的角部。因为装置2的侧面的强度比电力控制器4的强度小，所以装置2先损坏。装置2成为缓冲件，减小了电力控制器4所受的损伤。
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公开(公告)号：CN103702849A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072492.X
申请日：2011-07-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B60L3/0007 , B60K1/00 , B60K1/04 , B60K2001/0411 , B60L3/0046 , B60L3/0053 , B60L3/0069 , B60L3/04 , B60L11/1803 , B60L11/1868 , B60L11/1877 , B60L11/1879 , B60L11/1883 , B60L11/1896 , B60L11/1898 , B60L2210/40 , B60R16/04 , B60Y2306/01 , Y02T10/7066 , Y02T10/7241 , Y02T90/34
Abstract: 本发明提供一种使配置于前舱内的电力控制器受到的碰撞时的冲击减轻的技术。机动车100在前舱内具备电力控制器4和装置2。电力控制器4和装置2沿机动车横向排列配置。电力控制器4的角部或者突起面向装置2的侧面。在机动车发生了碰撞时，装置2的侧面接触电力控制器4的角部。因为装置2的侧面的强度比电力控制器4的强度小，所以装置2先损坏。装置2成为缓冲件，减小了电力控制器4所受的损伤。
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公开(公告)号：CN100505302C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本分明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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公开(公告)号：CN1979859A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610162001.1
申请日：2006-12-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 堀田幸司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/081 , H03K17/08148 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，它设有主开关元件区域的主电极、传感器开关元件区域的传感器电极、以及形成于主电极与传感器电极之间的保护器件。当主电极与传感器电极之间产生预定电位差时，保护器件使主电极与传感器电极电连接。这种半导体器件可以处理超额的电压，例如传感器电极与栅极之间产生的ESD，同时还可以防止栅极驱动损耗增大。
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公开(公告)号：CN1316628C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410074196.5
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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