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公开(公告)号：CN1788358A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种3－5族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该3－5族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述3－5族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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