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公开(公告)号：CN100517571C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200380104547.6
申请日：2003-11-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种III-V族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式InuGavAlwN(0≤u、v、w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层及用通式InxGayAlzN(0≤x、y、z≤1，x+y+z＝1)表示的III-V族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下，以及一种制造III-V族化合物半导体的方法，其特征在于，在衬底上使用通式InxGayAlzN表示的III-V族化合物半导体晶体生长时，在使该化合物半导体晶体层生长之前，在比该化合物半导体晶体层的生长温度低的温度下将用通式InuGavAlwN表示的缓冲层成膜为5埃以上90埃以下的膜厚之后，使该化合物半导体晶体层生长。
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公开(公告)号：CN101027787A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032135.5
申请日：2005-09-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种III－V族化合物半导体。所述III－V族化合物半导体包含n－型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p－型层，和存在于n－型层和p－型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III－V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。
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公开(公告)号：CN101772989A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101448.5
申请日：2008-07-24
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/0652 , C23C14/46 , H01L51/5253
Abstract: 本发明的课题在于提供一种有机EL装置的制造方法，其在形成包含对有机EL元件进行密封的无机物层的被膜时，可抑制对有机EL元件造成的损害，并且可形成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜。有机EL元件(20)是在至少一个为透明或半透明的一对电极间夹着包含发光层的有机EL层(22)而构成，密封层(30)包含与有机EL元件(20)接触的至少1层无机物膜并用于密封有机EL元件(20)。在基板(10)上形成有机EL元件(20)及密封层(30)时，利用离子束溅射法来形成密封层(30)中的与有机EL元件(20)接触的第1密封膜(31)，而利用离子束溅射法以外的其他成膜方法来形成密封层(30)中的其他无机物膜。
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公开(公告)号：CN1989626A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024108.3
申请日：2005-07-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0x1，0y1，和0z1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850C范围内的温度下，在p－型接触层和n－型接触层之间，形成厚度为500至5000？的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0a1，0b1，和0c1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。
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公开(公告)号：CN1717780A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104547.6
申请日：2003-11-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种3～5族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式InuGavAlwN(0≤u、v、w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层及用通式InxGayAlzN(0≤x、y、z≤1，x+y+z＝1)表示的3～5族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下，以及一种制造3～5族化合物半导体的方法，其特征在于，在衬底上使用通式InxGayAlzN表示的3～5族化合物半导体晶体生长时，在使该化合物半导体晶体层生长之前，在比该化合物半导体晶体层的生长温度低的温度下将用通式InuGavAlwN表示的缓冲层成膜为5埃以上90埃以下的膜厚之后，使该化合物半导体晶体层生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101766057B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200880100949.1
申请日：2008-07-18
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光装置的制造方法，该方法当形成对有机EL元件进行密封的包含无机物层的被覆膜时，能够抑制对有机EL元件造成的损伤。有机EL元件(20)是在至少一方为透明或半透明的一对电极之间夹持包含发光层的有机EL层(22)而构成，密封层(30)含有与有机EL元件(20)接触的至少1层的无机物膜，且对该有机EL元件(20)进行密封。当在基板(10)上形成有机EL元件(20)与密封层(30)时，利用对置靶式溅射法来形成密封层(30)中的与有机EL元件(20)接触的第一密封膜(31)，利用对置靶式溅射法以外的其他成膜方法来形成密封层(30)中的其他无机物膜。
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公开(公告)号：CN101766057A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100949.1
申请日：2008-07-18
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光装置的制造方法，该方法当形成对有机EL元件进行密封的包含无机物层的被覆膜时，能够抑制对有机EL元件造成的损伤。有机EL元件(20)是在至少一方为透明或半透明的一对电极之间夹持包含发光层的有机EL层(22)而构成，密封层(30)含有与有机EL元件(20)接触的至少1层的无机物膜，且对该有机EL元件(20)进行密封。当在基板(10)上形成有机EL元件(20)与密封层(30)时，利用对置靶式溅射法来形成密封层(30)中的与有机EL元件(20)接触的第一密封膜(31)，利用对置靶式溅射法以外的其他成膜方法来形成密封层(30)中的其他无机物膜。
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公开(公告)号：CN100511737C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580032135.5
申请日：2005-09-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体。所述III-V族化合物半导体包含n-型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p-型层，和存在于n-型层和p-型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5%，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。
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公开(公告)号：CN1788358B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该III-V族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述III-V族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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公开(公告)号：CN100527453C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200580024108.3
申请日：2005-07-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，和0≤z≤1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850℃范围内的温度下，在p-型接触层和n-型接触层之间，形成厚度为500至5000的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0≤a≤1，0≤b≤1，和0≤c≤1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。
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