记录介质
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102336083B

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201110196315.4

    申请日:2011-07-14

    CPC classification number: B41M5/5218 B41M5/52 B41M5/5227 B41M5/5254

    Abstract: 记录介质在基材上包括墨接受层,其中该墨接受层含有水合氧化铝、C1-4烷基磺酸和通式(1):X1-R1-(S)n-R2-X2的化合物的盐,其中n表示1或2;X1和X2各自独立地表示H、NH2或COOH,并且X1和X2的至少一个表示NH2或COOH;R1和R2各自独立地表示亚烷基、亚芳基或亚杂芳基,并且它们可彼此键合以形成环,设C1-4烷基磺酸的比例为A质量%,相对于水合氧化铝时,A在1.0-2.0的范围内,并且设通式(1)的化合物的盐的比例为B质量%,相对于水合氧化铝时,B在0.5-5.0的范围内。

    记录介质
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104339910A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410384073.5

    申请日:2014-08-06

    CPC classification number: B41M5/5218 B41M5/502 B41M5/52 B41M5/5227

    Abstract: 本发明涉及一种记录介质。一种记录介质,其具有基材和墨接收层,其中所述墨接收层含有胶体二氧化硅、锆化合物、铵盐和羟基羧酸,并且包含于所述墨接收层中的所述胶体二氧化硅的90%以上存在于距离所述记录介质的最外表面沿深度方向0nm以上且300nm以下的区域。

    记录介质
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104228387A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410282900.X

    申请日:2014-06-23

    Abstract: 本发明涉及一种记录介质。记录介质包括基材和墨接收层。所述墨接收层包含氧化铝颗粒、二氧化硅颗粒和粘结剂。当从表面侧向基材侧进行蚀刻时,通过X射线光电子光谱法进行的记录介质的组成分析提供,在0分钟的蚀刻时间时Si元素的存在量相对于Al元素与Si元素的合计存在量的比例为10原子%-90原子%,和在5分钟的蚀刻时间时Si元素的存在量相对于Al元素与Si元素的合计存在量的比例为50原子%以上。

    喷墨记录介质
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102785500B

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201210153337.7

    申请日:2012-05-17

    Abstract: 本发明涉及一种喷墨记录介质。喷墨记录介质包括支持体和墨接收层,所述墨接收层设置在所述支持体上并且包含氧化铝颜料和碳数为1以上至4以下的烷基磺酸。所述墨接收层进一步包含高分子化合物、水溶性锆化合物和硼酸或硼酸盐。所述高分子化合物是通过将生成物的至少一个氨基用酸阳离子化而获得的高分子化合物,所述生成物通过至少3种化合物的反应获得,所述3种化合物即,(i)包含2个以上活性氢原子的含硫有机化合物,(ii)包含2个以上异氰酸酯基的多异氰酸酯化合物,和(iii)包含2个以上活性氢原子的胺化合物。

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