硅基板的加工方法和液体喷出头用基板的制造方法

    公开(公告)号:CN106274059B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201610473940.1

    申请日:2016-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种硅基板的加工方法和液体喷出头用基板的制造方法。进行以下步骤:未贯通孔形成步骤,用于将第二面的供给路径形成区域划分成与梁的形成位置相对应的第一区域、在第一区域的两侧与第一区域邻接的第二区域、以及不是第一区域和第二区域的第三区域,并且在第二区域和第三区域中形成多个未贯通孔;以及蚀刻步骤,用于从第二面对硅基板进行各向异性蚀刻,由此形成供给路径并在供给路径中形成梁。在未贯通孔形成步骤中,使得未贯通孔的间隔和深度至少之一在第二区域和第三区域中不同,由此控制在蚀刻步骤中要形成的梁的形状和尺寸。

    喷嘴芯片的制造方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103998245B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201180075533.0

    申请日:2011-12-13

    CPC classification number: G03F7/20 B41J2/162 B41J2/1631

    Abstract: 本发明提供了一种喷嘴芯片的制造方法,所述制造方法包括通过使用具有在通过连接部将喷出口列图案彼此相连接的情况下形成一个喷嘴芯片的喷出口列图案的图案的掩模进行光线照射来形成喷出口列的步骤,其中,所述掩模被配置为使得对于所述喷出口列的喷出口的配置方向、照射与所述连接部的距离最近的喷出口的光线的轴外远心度的绝对值小于照射与所述连接部的距离最远的喷出口的光线的轴外远心度的绝对值。

    液体喷出头的制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104169092A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201380012570.6

    申请日:2013-02-26

    CPC classification number: G03F7/2022 B41J2/162 B41J2/1626 B41J2/1631

    Abstract: 一种液体喷出头的制造方法,包括进行第一曝光以形成第一喷出口列的步骤和进行第二曝光以形成第二喷出口列的步骤,在第二喷出口列中,喷出口通过连接部与形成第一喷出口列的喷出口配置成列。在由第一喷出口列和第二喷出口列形成的喷出口列中,关于喷出口的中心之间的在喷出口的开口面上的喷出口配置方向上的距离,以如下方式形成喷出口:彼此相邻且在彼此之间具有连接部的两个喷出口的中心之间的距离比彼此相邻但在彼此之间不具有连接部的两个喷出口的中心之间的距离长。

    喷嘴芯片的制造方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103998245A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201180075533.0

    申请日:2011-12-13

    CPC classification number: G03F7/20 B41J2/162 B41J2/1631

    Abstract: 本发明提供了一种喷嘴芯片的制造方法,所述制造方法包括通过使用具有在通过连接部将喷出口列图案彼此相连接的情况下形成一个喷嘴芯片的喷出口列图案的图案的掩模进行光线照射来形成喷出口列的步骤,其中,所述掩模被配置为使得对于所述喷出口列的喷出口的配置方向、照射与所述连接部的距离最近的喷出口的光线的轴外远心度的绝对值小于照射与所述连接部的距离最远的喷出口的光线的轴外远心度的绝对值。

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