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公开(公告)号:CN105516553A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201510633722.5
申请日:2015-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 箕轮雅章
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 本发明提供一种摄像装置及摄像系统。该摄像装置包括布置有多个像素的像素区,所述多个像素中的各个包括:多个光电转换器,其被构造为生成与入射光的量相对应的电荷;多个电荷保持部,其被布置为与所述多个光电转换器相对应,并被构造为分别保持由所述多个光电转换器生成的电荷;以及聚光部,其被布置为被所述多个光电转换器共享,并被构造为将所述入射光导向所述多个光电转换器。在所述摄像装置中,同一像素中包括的两个电荷保持部之间的第一势垒的高度(Vb)低于不同像素中包括的两个电荷保持部之间的第二势垒的高度(Va)。
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公开(公告)号:CN104517983A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410499673.6
申请日:2014-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H04N5/23293 , H04N5/265 , H04N5/33 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法和成像系统。固态成像装置包括:通过外延生长方法设置在基板上的第一导电类型的第一半导体区域;设置在第一半导体区域上的第一导电类型的第二半导体区域;和设置在第二半导体区域中以与第二半导体区域形成pn结的第二导电类型的第三半导体区域,其中,第一半导体区域被形成为使得杂质浓度从基板侧到第三半导体区域侧减小,并且第二半导体区域中的杂质浓度分布是通过离子注入方法形成的。
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公开(公告)号:CN103108144A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201210454913.1
申请日:2012-11-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/23212 , H04N5/343 , H04N5/3532 , H04N5/3535 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: 一种用于驱动图像拾取装置的方法。通过第一操作生成用于焦点检测的信号,在第一操作中,把光电转换单元中包括的至少一个光电转换元件的信号读取到放大单元的输入节点并且该信号通过放大单元被提供给公共输出线;并且通过第二操作生成用于形成图像的信号,在第二操作中,在使用放大单元保持在第一操作中读取的信号的同时,与在第一操作中已经被读取信号的至少一个光电转换元件包括在同一光电转换单元中的另一光电转换元件的信号读取到放大单元的输入节点,相加后的信号通过该放大单元被提供给该公共输出线。
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公开(公告)号:CN102680811A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210060872.8
申请日:2012-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N17/002 , H01L27/00 , H01L27/0605 , H01L27/1203 , H01L27/14632 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/1029 , H01L2924/01079 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种测试信号接收单元的测试电路、图像拾取装置、以及测试方法。作为实施例,公开了一种测试电路,该测试电路包括:被配置为通过信号线向设置在多个列中的信号接收单元供给测试信号的测试信号供给单元,其中,测试信号供给单元是电压缓冲器或电流缓冲器,并且,测试电路具有多个测试信号供给单元和多个信号线,并且,其中,至少一个测试信号供给单元与不同于电连接另外的测试信号供给单元的信号线的一个信号线电连接。
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公开(公告)号:CN102110701A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010597252.9
申请日:2010-12-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态成像装置和成像系统。根据本发明的固态成像装置的特征在于,向复位MOS晶体管的栅极施加的复位栅极电压VresH比与放大MOS晶体管和复位MOS晶体管的漏极连接的电源的电源电压SVDD低。
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