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公开(公告)号：CN101010631A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029571.7
申请日：2005-08-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , C23F4/00 , H01L21/027
Abstract: 在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。
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公开(公告)号：CN103324027B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN103324024B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN103324024A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102621802A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593755C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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公开(公告)号：CN100568091C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(-)、折射率为n(-)、消光系数为k(-)时，进行设计，使相位超前膜为k(+)＞a1·n(+)+b1，使相位滞后膜为k(-)＜a2·n(-)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝-0.116·d(+)-0.281，a2＝0.113·d(-)+0.774，b2＝-0.116·d(-)-0.281。
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公开(公告)号：CN101082768A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1900819A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm－1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN1763632A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112619.2
申请日：2005-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。
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