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公开(公告)号：CN102654730B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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公开(公告)号：CN101950125B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN102654730A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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公开(公告)号：CN1763632B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510112619.2
申请日：2005-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。
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公开(公告)号：CN1815361A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(－)、折射率为n(－)、消光系数为k(－)时，进行设计，使相位超前膜为k(－)＞a1·n(－)+b1，使相位滞后膜为k(－)＜a2·n(－)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝－0.116·d(+)－0.281，a2＝0.113·d(－)+0.774，b2＝－0.116·d(－)－0.281。
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