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公开(公告)号：CN101968605B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010270048.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
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公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN102998894A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210329820.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
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公开(公告)号：CN101846876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN106547167A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610824947.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯、制备方法和光掩模。光掩模坯，其包括透明衬底(1)、蚀刻阻止膜(2)、遮光膜(3)和蚀刻掩模膜(4)，在衬底侧上具有相对于曝光光的最多35％的反射率。所述蚀刻阻止膜(2)由邻近所述衬底设置并充当减反射层的第一层(21)和充当耐氟系干蚀刻层的第二层(22)组成，所述第一和第二层的一层为具有压缩应力的层且另一层为具有拉伸应力的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950125B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN103123441A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN102998894B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210329820.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
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公开(公告)号：CN103123442A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN101950125A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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