公开(公告)号：CN102187453A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141244.9

申请日：2009-09-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： S·拜尔 ,  K·弗罗贝格 ,  K·赖歇 ,  K·拉特洛夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897

Abstract: 基于硬掩模(233)可形成接触元件，而基于第一阻剂掩模(210)和基于第二阻剂掩模(211)可图样化该硬掩模(233)，藉此可定义可描述接触元件之最终设计尺寸的适当交叉区域(234)。结果，可用限制较少之约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中之至少一者作为两个阻剂掩模中之每一的非关键尺寸。

公开(公告)号：CN101213666A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023597.5

申请日：2006-05-23

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： M·莱勒 ,  K·弗罗贝格 ,  C·施万

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/945 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明提供一种用于退耦电容器的垂直或三维非平面式配置(non－planar configuration)，其显著地降低高电荷载体储存容量的电容器所需的晶粒面积。该退耦电容器的非平面式配置在非常关键的栅极图案化工艺期间亦提供增进的图案均匀性。

公开(公告)号：CN101023524A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580017374.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： K·弗罗贝格 ,  M·沙勒 ,  M·阿明普

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

Abstract: 通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。因此，可得到晶体管效能的显着改善，同时不会大幅增加工艺的复杂性。