公开(公告)号：CN102362343A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200980157543.1

申请日：2009-12-29

Applicant: 先进微装置公司 ,  AMDFAB36有限责任公司

Inventor： F·福斯特尔 ,  T·沃纳 ,  K·弗罗贝格

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体装置的金属化系统中，可通过修改对应蚀刻顺序来提供具有锥形程度增加的转变贯孔。举例来说，可一次或多次腐蚀用以形成该贯孔开口的阻剂掩膜，以增加对应掩膜开口的横向尺寸。由于显著的锥形程度，在用以共同填充该贯孔开口与连接该贯孔开口的宽沟槽的后续电化学沉积制程期间可完成增强的沉积条件。

公开(公告)号：CN101755333A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880022651.3

申请日：2008-06-30

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福伊斯特尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·彼得斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。

公开(公告)号：CN100562986C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200580017374.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： K·弗罗贝格 ,  M·沙勒 ,  M·阿明普

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

Abstract: 通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。因此，可得到晶体管效能的显着改善，同时不会大幅增加工艺的复杂性。

公开(公告)号：CN102362343B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN200980157543.1

申请日：2009-12-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福斯特尔 ,  T·沃纳 ,  K·弗罗贝格

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体装置的金属化系统中，可通过修改对应蚀刻顺序来提供具有锥形程度增加的转变贯孔。举例来说，可一次或多次腐蚀用以形成该贯孔开口的阻剂掩膜，以增加对应掩膜开口的横向尺寸。由于显著的锥形程度，在用以共同填充该贯孔开口与连接该贯孔开口的宽沟槽的后续电化学沉积制程期间可完成增强的沉积条件。

公开(公告)号：CN102428551A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080018399.6

申请日：2010-02-22

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福斯特 ,  K·弗罗贝格 ,  T·沃纳

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 在复杂半导体器件的金属化系统中，可以钉状组态来形成金属支柱(271)，例如铜支柱，以便减少作用于该金属化系统的最大机械应力，同时提供连接至封装基板的必要接触面。基于经适当组态的抗蚀剂掩膜，可得到该钉状组态。

公开(公告)号：CN101213654A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023957.1

申请日：2006-05-23

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： M·莱尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·施万

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种可个别为N沟道晶管体及P沟道晶管体形成金属硅化物的技术，而同时亦为各种晶体管类型个别提供应变引发机构(strain－inducing mechanism)。以此方式，系可在P沟道晶体管(140，240)可容纳高导电性的硅化镍(150，250)时，可设置距离NMOS晶体管(120，220)之沟道区域具有缩减距离的硅化钴(130，230)，而不会影响或损害N沟道晶体管(120，220)的特性。

公开(公告)号：CN102187453B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980141244.9

申请日：2009-09-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： S·拜尔 ,  K·弗罗贝格 ,  K·赖歇 ,  K·拉特洛夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897

Abstract: 基于硬掩模(233)可形成接触元件，而基于第一阻剂掩模(210)和基于第二阻剂掩模(211)可图样化该硬掩模(233)，藉此可定义可描述接触元件的最终设计尺寸的适当交叉区域(234)。结果，可用限制较少的约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中的至少一者作为两个阻剂掩模中的每一的非关键尺寸。

公开(公告)号：CN101755333B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880022651.3

申请日：2008-06-30

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福伊斯特尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·彼得斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。

公开(公告)号：CN101213654B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200680023957.1

申请日：2006-05-23

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： M·莱尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·施万

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种可个别为N沟道晶管体及P沟道晶管体形成金属硅化物的技术，而同时亦为各种晶体管类型个别提供应变引发机构(strain-inducing mechanism)。以此方式，系可在P沟道晶体管(140，240)可容纳高导电性的硅化镍(150，250)时，可设置距离NMOS晶体管(120，220)之沟道区域具有缩减距离的硅化钴(130，230)，而不会影响或损害N沟道晶体管(120，220)的特性。

公开(公告)号：CN102197465A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142932.7

申请日：2009-08-28

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： T·沃纳 ,  K·弗罗贝格 ,  F·福伊斯特尔

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在先进金属化系统的制造期间，可在去除多余金属的CMP(化学机械抛光)工艺中部分保留形成在敏感介电材料上的介电覆盖层，从而避免如传统方法须在该CMP工艺期间实质上完全消耗该介电覆盖材料后沉积专用的蚀刻停止材料。因而，可实现降低的工艺复杂度和/或提高的灵活性，并结合增加的低k介电材料的完整性。