公开(公告)号：CN102077340A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125491.X

申请日：2009-04-30

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： C·巴尔奇 ,  D·费希尔 ,  M·沙勒

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883

Abstract: 在半导体器件之精密金属化系统中，在通孔开口之图案化期间，该开口(221A)延伸穿过导电盖层(213)，并且建立适当的离子轰击以再分配下层金属区(212)的材料以暴露导电盖层(213)的侧壁部分，由此建立保护材料(212P)。结果，于后续的湿式化学蚀刻制造方法(215)中，可以大大地减少导电盖层(213)之过度材料去除之可能性。

公开(公告)号：CN101322238A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045080.6

申请日：2006-11-15

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·里希特 ,  M·沙勒 ,  E·克劳斯 ,  E·郎格尔

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过电性无功能金属区(electrically non－functional metal region)下方设置假通孔(dummy via)，可明显减少在后续工艺中的金属脱层(delamination)的风险。再者，在一些实施例中，通过设置假金属区，甚至可更增强所获得的金属化层的机械强度，该假金属区可作用为用于上层无功能金属区的固定件(anchor)。此外，亦可设置假通孔与电性作用金属线和金属区结合，因而亦增强其机械稳定性和电性效能。

公开(公告)号：CN101023524A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580017374.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： K·弗罗贝格 ,  M·沙勒 ,  M·阿明普

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

Abstract: 通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。因此，可得到晶体管效能的显着改善，同时不会大幅增加工艺的复杂性。

公开(公告)号：CN100562986C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200580017374.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： K·弗罗贝格 ,  M·沙勒 ,  M·阿明普

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

Abstract: 通过提供接点蚀刻终止层，可有效地控制不同晶体管类型的沟道区中的应力，其中可以诸如湿式化学蚀刻、电浆蚀刻、离子植入、及电浆处理等的已为大家接受的工艺得到该接点蚀刻终止层的抗拉应力及压缩应力部分。因此，可得到晶体管效能的显着改善，同时不会大幅增加工艺的复杂性。