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公开(公告)号：CN115425106A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211032059.X
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0288 , H01L31/0376
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
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公开(公告)号：CN114795162A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210405943.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: A61B5/024 , A61B5/1455
Abstract: 本申请公开了一种指静脉传感器及电子设备，属于传感技术领域。指静脉传感器，包括：衬底、红外光源和红外探测器。由于红外光源中的第一发光元件与传感区之间的距离，小于红外光源中的第二发光元件与传感区之间的距离。因此，第一发光元件发出的近红外光线，会经过较短的距离射向传感区内的待检测物体。当待检测物体为用户的手指时，用户手指中的指关节与第一发光元件之间的距离较小，第一发光元件发射的近红外光线经过较短的距离就能够射向指关节，使得关节处的静脉分布图像的效果较好。并且该指静脉传感器的厚度较小，有利于将该指静脉传感器与其他组件集成在一个电子设备中，使得集成了该指静脉传感器的电子设备体积较小。
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公开(公告)号：CN117413362A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280000930.X
申请日：2022-04-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开公开了一种探测基板、探测设备，该探测基板包括：呈阵列排列的多个光电转换器件；所述光电转换器件包括多膜层，其中所述光电转换器件内构成内部电容的电极膜层之间的交叠区域的面积小于所述光电转换器件中其它膜层的面积；驱动电路，与所述光电转换器件电连接。
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公开(公告)号：CN116387334A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310457100.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种平板探测器，用以解决平板探测器良率不高的问题，包括：衬底基板，具有多个呈阵列排布的像素区；驱动电路层，位于衬底基板的一侧，驱动电路层包括与像素区一一对应的薄膜晶体管；第一缓冲层，位于驱动电路层远离衬底基板的一侧，第一缓冲层包括多个第一过孔，多孔在衬底基板的正投影位于像素区内；第一电极层，位于第一缓冲层远离衬底基板的一侧，第一电极层包括与多个像素区一一对应的多个第一像素电极，第一像素电极通过对应的第一过孔与对应的薄膜晶体管连接，第一像素电极在对应第一过孔位置的端差小于第一缓冲层的厚度；敏感材料层，位于第一电极层远离衬底基板的一侧表面；第二电极层，位于敏感材料层远离衬底基板的一侧。
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公开(公告)号：CN116387284A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310459689.3
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本申请提供一种测试用基板、半导体器件及测试系统，测试用基板具有感应区和围绕感应区的周边区；测试用基板包括衬底；感应区包括设于衬底一侧的薄膜晶体管功能层；周边区包括：设置在衬底一侧且相互隔离的至少一个第一引出区、第二引出区，每个第一引出区和第二引出区分别对应感应区的一个侧边；第一引出区包含薄膜晶体管功能层中各个栅极信号线的引出线和与其对应设置的第一测试端子；第二引出区包含薄膜晶体管功能层中各个与源极电连接的数据信号线的引出线和与其对应设置的第二测试端子；第一测试端子和第二测试端子，用于与外部测试电路中的驱动芯片和数据读取芯片电连接，以对感应区进行控制。该测试用基板具有工序简单、验证时间短等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019707A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111266333.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G06V40/13
Abstract: 本申请公开了一种显示基板、显示面板及显示装置，用以实现显示与纹路识别集成。本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：阵列排布的多个子像素区以及子像素区之间的非显示区；显示基板包括：衬底基板，位于衬底基板之上的驱动电路层，位于驱动电路层背离衬底基板一侧的多个光电转换单元，以及位于光电转换单元背离驱动电路层一侧的多个光阑；光电转换单元以及光阑位于非显示区，每一光电转换单元在衬底基板的正投影至少覆盖一个光阑在衬底基板的正投影；驱动电路层包括：位于子像素区的显示驱动电路，以及在非显示区与光电转换单元一一对应电连接的纹路识别驱动电路。
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公开(公告)号：CN114739433B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210397532.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G01D5/26 , G01D5/34 , G01R19/00 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种光电传感器信号读取电路及光电传感器装置，通过将传感器件两端的反向偏压固定，确保在同一光强下，传感器件产生的光电流大小相等，即传感器件在反偏状态下光电特性稳定；然后通过采用电流镜模块将传感器件产生的光电流完全映射到存储电容上，存储电容的一端接固定电位(第一电源端)，另一端的电位随光电流的变化会发生变化；通过读出模块读取存储电容存储的电荷，可以有效解决传感器件在反偏状态光电特性不稳定的问题，确保所读取的信号量真实反映传感器件的光电特性。因此本发明实施例中的传感器件在不同光强下，灰阶线性度较好。
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公开(公告)号：CN116472611A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180003474.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供的探测基板及探测装置，包括衬底基板，衬底基板包括感光区、以及包围感光区的周边区；多个有机光电探测器，位于衬底基板之上；多个有机光电探测器在感光区呈阵列排布，有机光电探测器包括层叠设置的第一电极、有机光电探测功能层和第二电极，其中，全部有机光电探测器的第二电极一体化设置、并自感光区延伸至周边区；偏压线，该偏压线为在周边区沿第一方向延伸的条状走线，且偏压线在周边区内与第二电极电连接，偏压线与有机光电探测功能层在第二方向上的最小距离大于预设阈值，其中，第一方向与第二方向相互垂直，且第一方向、第二方向均平行于衬底基板。
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公开(公告)号：CN116110986A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310274360.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0232 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开一种光电二极管，包括雪崩光电二极管和设置在雪崩光电二极管表面的微透镜层，其中，所述雪崩光电二极管包括设置在所述雪崩光电二极管的至少一个膜层的至少一个陷光微孔，所述微透镜层包括与所述陷光微孔一一对应的微透镜，所述微透镜包括向远离所述雪崩光电二极管的方向凸起的凸起表面。本发明通过在雪崩光电二极管的表面上集成微透镜并在光电二极管的膜层内设置陷光微孔结构，在不增大像元面积的前提下，可以减少入射光穿透器件的损失，提升二极管的光吸收效率，提高雪崩光电二极管的灵敏度，同时可以通过减少光电二极管的吸收层厚度，提升器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN115811668A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211469140.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H04N25/616 , H04N25/65 , H04N25/70 , G09G3/20 , G09F9/30
Abstract: 本申请实施例提供一种有源像素传感器、显示面板、显示装置和平板探测装置，有源像素传感器包括：阵列排布的多个像素电路，各像素电路均包括第一晶体管和用于生成像素信号的像素感测单元，像素感测单元连接于第一晶体管的第一极，第一晶体管的栅极用于连接栅极控制电压；多个共用电路，与多列像素电路一一对应，每列像素电路中的第一晶体管的第二极均连接于对应的共用电路，共用电路还具有读取控制电压端，读取控制电压端用于连接读取控制电压；在栅极控制电压和读取控制电压满足第一预设条件的情况下，对当前帧像素信号进行第一次采样和第二次采样。本申请实施例的技术方案可以无需受到像素大小的限制，且可以兼容光电导探测器。
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