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公开(公告)号：CN115548043A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211317613.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明实施例公开了一种红外焦平面探测器及其制备方法、平面探测装置，所述红外焦平面探测器包括衬底、层叠设置在所述衬底上的读出电路层和探测层，其中，所述读出电路层包括各探测单元的读出电路；所述探测层包括第一电极、与所述第一电极相对设置的第二电极、以及设置在所述第一电极和第二电极之间的光电转换层，所述第一电极包括设置在所述读出电路层上的第一功能层和覆盖所述第一功能层的第二功能层，每个探测单元的第一功能层与所述读出电路电连接，并且所述第一功能层包括多个贯通其的开孔。本发明提供的实施例在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率，有效提高红外焦平面探测器的成像质量，具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN117832234A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211194363.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种平板探测器及探测基板。该探测基板包括：衬底；光电转换结构，设于所述衬底的一侧；多个透镜单元，设于所述光电转换结构的入光侧；多个所述透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个所述透镜单元列错开设置。本公开能够提高成像质量。
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公开(公告)号：CN115497971A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211169867.0
申请日：2022-09-22
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器。短波红外焦平面传感器包括TFT背板和设于其上的胶体量子点光电转换层，胶体量子点光电转换层在TFT背板上的正投影覆盖TFT背板的感应区，并用于感应短波红外光。TFT背板包括衬底基板，以及设置于衬底基板的感应区的薄膜晶体管层；薄膜晶体管层设置在衬底基板和胶体量子点光电转换层之间，且包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一个像素。胶体量子点光电转换层朝向TFT背板的一侧设有多个偏置电极，背向TFT背板的一侧设有公共电极。每个偏置电极对应一个薄膜晶体管；公共电极覆盖胶体量子点光电转换层，公共电极与偏置电极同种材料制作。
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公开(公告)号：CN115425106A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211032059.X
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0288 , H01L31/0376
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。
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公开(公告)号：CN116110986A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310274360.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0232 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开一种光电二极管，包括雪崩光电二极管和设置在雪崩光电二极管表面的微透镜层，其中，所述雪崩光电二极管包括设置在所述雪崩光电二极管的至少一个膜层的至少一个陷光微孔，所述微透镜层包括与所述陷光微孔一一对应的微透镜，所述微透镜包括向远离所述雪崩光电二极管的方向凸起的凸起表面。本发明通过在雪崩光电二极管的表面上集成微透镜并在光电二极管的膜层内设置陷光微孔结构，在不增大像元面积的前提下，可以减少入射光穿透器件的损失，提升二极管的光吸收效率，提高雪崩光电二极管的灵敏度，同时可以通过减少光电二极管的吸收层厚度，提升器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN117413362A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280000930.X
申请日：2022-04-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开公开了一种探测基板、探测设备，该探测基板包括：呈阵列排列的多个光电转换器件；所述光电转换器件包括多膜层，其中所述光电转换器件内构成内部电容的电极膜层之间的交叠区域的面积小于所述光电转换器件中其它膜层的面积；驱动电路，与所述光电转换器件电连接。
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公开(公告)号：CN117766545A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311853038.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L27/12 , H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/80 , H10K59/122 , G09F9/33 , G09G3/3208
Abstract: 本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示面板的PPI。该阵列基板包括：多个子像素区域和多个像素驱动电路，像素驱动电路包括第一类晶体管和第二类晶体管。还包括：衬底基板、第一有源膜层以及第二有源膜层，第一有源膜层包括第一类晶体管的有源层图案，第二有源膜层包括第二类晶体管的有源层图案。相邻行子像素区域的膜层图案镜像设置，相邻列子像素区域的膜层图案镜像设置。还包括：多条直流信号线，与一条直流信号线相邻的两列子像素区域的像素驱动电路共用该直流信号线；与一条直流信号线相邻的两行子像素区域的像素驱动电路共用该直流信号线。上述阵列基板用于驱动显示面板显示图像。
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公开(公告)号：CN117119833A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311065692.3
申请日：2023-08-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10K59/121
Abstract: 本发明提供了一种显示基板及显示装置，其中，所述显示基板包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个发光子像素；其中，各个所述发光子像素包括发光器件以及用于驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，各个所述发光器件位于第一平面且呈阵列排布，相邻两个所述发光器件对应的像素驱动电路分别位于第二平面和第三平面，所述第二平面、所述第三平面和所述第一平面依次背离所述衬底基板设置，且所述第二平面和所述第三平面在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述第一平面、所述第二平面和所述第三平面均平行于所述衬底基板所在的平面。用于提高像素密度。
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公开(公告)号：CN116417473A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310376824.8
申请日：2023-04-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1685
Abstract: 本申请公开了一种驱动背板及其制造方法、显示装置，该驱动背板，包括：衬底基板和TFT。该TFT中的源极与有源层中的第一多晶硅区连接，漏极与有源层中的第二多晶硅区连接。由于源极和漏极能够与多晶硅区形成较好的接触，因此能够有效提高该TFT对其源极和漏极进行开关切换的速度，进而使得该驱动背板能够耐受高压的同时，具有较高的响应速度。
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公开(公告)号：CN118212870A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410544883.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/3225 , G11C19/28
Abstract: 提供了一种移位寄存器单元及其驱动方法、显示驱动电路、显示装置，属于显示技术领域。该移位寄存器单元中，输入控制电路能够在第一时钟端提供的时钟信号和第二时钟端提供的时钟信号控制下，控制输入端与输入节点的通断。输出控制电路能够基于该输入节点的电位和复位控制端提供的复位控制信号，通过输出端向像素输出发光控制信号以驱动像素发光。如此，可以通过灵活设置时钟信号和复位控制信号，使得移位寄存器单元向输出端输出匹配像素中的P型晶体管和/或N型晶体管的发光控制信号，以及还可以在显示面板上电或断电时可靠复位输出的发光控制信号，既确保驱动灵活性较好，驱动方式丰富，又确保开关机信赖性较好，驱动效果较好。
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