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公开(公告)号：CN117748298B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311570254.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡高势垒的中波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的有源层，有源层包括多个级联周期，每个级联周期包括注入区和有源区；所述注入区在应变InAlAs势垒层嵌套插入AlAs高势垒层。本发明通过插入AlAs高势垒层调整注入势垒和出口势垒增强基态能级和有源区上能级E3的耦合强度以及提供足够大的微带能量宽度，从而使得有源区中低于下激射能级E2的更低能级的电子可以被有效传输到注入区的微带。将输出峰值增益提高到97以上，有效增大功率输出，而且优化过的材料组分种类更少，相比于目前报道的最大单管功率器件降低了外延生长的难度。
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公开(公告)号：CN117747687A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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公开(公告)号：CN116544300A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310303911.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAs/GaSb II类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAs/GaSb II类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进，提出先对衬底进行刻蚀图形化，再进行外延生长，极大地避免了外延部分化学键的断裂，有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。
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公开(公告)号：CN116002758A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: C01G41/02 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
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公开(公告)号：CN115753681A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211308300.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种毛细管微反应器的回音壁谐振结构，包括：毛细管微反应器，内部形成微管腔；输入光纤和输出光纤，其中，所述输入光纤包括第一段结构和第二段结构，所述第一段结构的直径小于所述第二段结构的直径，所述第一段结构的端面形成第一微型端面；所述输出光纤包括第三段结构和第四段结构，所述第三段结构的直径小于所述第四段结构的直径，所述第三段结构的端面形成第二微型端面；所述第一微型端面、所述第二微型端面与所述毛细管微反应器外壁接触耦合，激发回音壁谐振。本发明采用微型端面将光波耦入腔体结构，实现光纤中传导的光波直接耦入腔体结构内，在抗体固载检测时回音壁谐振腔结构具有较高的的灵敏度和鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115679442A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211300817.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种分子束外延的超快激光辅助系统，所述系统包括：超快激光器，以及光路系统，其中，所述光路系统包括第一反射镜、飞秒/皮秒反射镜、第二反射镜，所述超快激光器发出的光，依次经所述第一反射镜、所述飞秒/皮秒反射镜和所述第二反射镜反射，至少形成一路超快激光汇聚至硅基衬底，对硅基衬底加热调控。本发明将飞秒/皮秒超快激光系统与分子束外延系统结合，通过超快激光光路与分子束外延系统的集成，达到对外延过程中界面位错和反向畴的产生、运动与湮灭的调控，为实现高性能硅基异质集成三五半导体材料与器件提供全新的技术手段。
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公开(公告)号：CN115642480A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211323671.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种具有新型能带结构的量子级联激光器，包括：InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的注入区和有源区，在有源区浅阱嵌套深势阱，在注入区高势垒嵌套高势垒，显著降低载流子向连续态的泄露，提高了增益，有利于实现大功率输出。
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公开(公告)号：CN115632077A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211328965.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于碲化物的双色红外探测器所述双色红外探测器包括：p型Si衬底，在所述p型Si衬底上堆叠的n型MoTe2层，以及在所述n型MoTe2层上堆叠的p型二维Te层；所述p型Si衬底、所述n型MoTe2层和所述p型二维Te层，形成背靠背堆叠的p‑n‑p结。本发明通过两个方向的内置电场，将两个波段的光生载流子分离检测，实现双色信号有效分离，减少光和电串扰，达到超低串扰的目的。
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公开(公告)号：CN112730331A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011411635.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 为了实现光子芯片中光的衍射问题，本发明提出一种基于飞秒激光制备的光子芯片单元的制作方法。本发明采用飞秒激光制备完成，通过将激光光斑聚焦到SOI材料表面进行刻蚀，采用逐线法写制出间距为10nm、深度为4μm、长度100μm的锯齿型光栅结构。
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公开(公告)号：CN116002758B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18 , C01G41/02
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
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