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公开(公告)号：CN119208449A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411358321.9
申请日：2024-09-27
Applicant: 鲁东大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种制备Cs3Cu2I5/ZnGa2O4异质结自驱动紫外光电探测器的方法，器件结构由下到上分别为：Al2O3衬底、ZnGa2O4层，Cs3Cu2I5层和Au电极层。本发明中紫外光电探测器的制备步骤是先将Al2O3衬底置于脉冲激光沉积（PLD）设备的制备室中并采用248nm准分子激光器轰击ZnGa2O4靶材，形成高浓度的等离子体羽辉沉积在Al2O3衬底上，随后将样品放置于管式炉（CVD）中，进行高温通氧退火；退火完毕后再将薄膜进行掩膜处理，再次放置到PLD设备的制备室中，调整激光轰击Cs3Cu2I5靶材，使其沉积在ZnGa2O4薄膜表面上；最后使用电子束真空热蒸发在两种材料表面蒸镀Au电极并形成欧姆接触。本发明制备的紫外光电探测器成本低、无污染，ZnGa2O4、Cs3Cu2I5材料能够根据本身特性实现对紫外光的探测，并且具有自驱动特点。
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公开(公告)号：CN119170684A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411221625.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高温pin紫外探测器，属于微电子技术领域，包括自下而上层叠设置的4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC外延层的两侧通过刻蚀形成呈倾角台面结构；4H‑SiC接触层的中间刻蚀有若干倒梯形沟槽；器件的整个上表面覆盖有钝化层；P型和N型欧姆接触金属分别设置在倾角台面结构的下台面和上台面；且P型和N型欧姆接触金属的上方设置有金属Pad；金属Pad和P/N型欧姆接触金属之间还设有扩散阻挡层。该结构设计提升了欧姆接触的热稳定性以及在高温环境下的寿命，从而提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN119170683A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411221621.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种宽谱响应pin高温紫外探测器，属于微电子技术领域，包括4H‑SiC衬底，设置在4H‑SiC衬底上的4H‑SiC外延层，设置在4H‑SiC外延层上表面左右两侧的4H‑SiC吸收层和β‑Ga2O3吸收层，设置在4H‑SiC吸收层上的4H‑SiC接触层，设置在β‑Ga2O3吸收层上的β‑Ga2O3接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层、4H‑SiC外延层的左侧形成有左半部分倾角台面结构；β‑Ga2O3接触层、β‑Ga2O3吸收层以及4H‑SiC外延层的右侧有右半部分倾角台面结构；N/P型欧姆接触金属分别设置在倾角台面结构的上/下台面。该探测器的光响应能力强，探测波长范围宽。
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公开(公告)号：CN119050191A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411520304.0
申请日：2024-10-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测器领域，公开了一种超宽带、高灵敏光热电探测器，采用碲纳米线/石墨烯水平异质结为基本结构单元，具有一对对称金电极，器件结构简单。探测器在覆盖氧化硅的硅衬底上蒸镀电极，并依次转移碲纳米线和石墨烯材料，在器件沟道内形成水平异质结构，分别只与一侧电极相连。利用碲纳米线的优异热电性质，通过构建碲纳米线/石墨烯异质结构，石墨烯取代一侧金电极，结合石墨烯与金电极的热导率差异和光热电效应，诱导非对称温度分布和光热电势，有效抑制镜像光电流，减少光生载流子复合与抵消，实现高灵敏、超宽带光电探测。
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公开(公告)号：CN119050121A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411164997.4
申请日：2024-08-23
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0336 , H01L31/0272 , H01L31/028
Abstract: 本发明属于图像传感技术领域，具体公开了一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法，包括蓝宝石衬底、Te/Si异质结光电感应层、Te薄膜侧漏电极、Si薄膜侧源电极、隔离层、金属栅电极、栅介质层、开关处理层、开关处理层侧漏电极、开关处理层侧源电极、漏电极互联极片、光照屏蔽层；本发明以Te和Si作为感光层材料，构建的Te/Si异质结能够在短波近红外波段具有双向光响应特性，并且具有较高的光电转换效率；本发明构建Te/Si异质结与薄膜晶体管的片上集成，实现了光电感应功能和信息处理功能的优势互补，提高了系统的稳定性和可靠性，简化了电路设计，满足了小型化和轻量化的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118867010A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410886711.7
申请日：2024-07-03
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0392 , H01L31/109 , H01L31/18 , G06N3/084 , G06F17/16
Abstract: 本发明提供了一种具有双向光调制的光电突触器件、制备方法及其应用，所述器件基于γ‑石墨二炔和ZnO异质结构成，可实现正光电响应和负光电响应，包括一个铺设在云母衬底上的ZnO薄膜，该硅衬底表面覆盖一层γ‑石墨二炔薄膜，在γ‑石墨二炔薄膜导电层上，覆盖有两个电极，其中第一电极作为供能电极，第二电极作为输出电极，在这两个电极之间施加一个恒定的偏压，并通过照射不同波长的激光光束到沟道上，来操控器件的性能，使器件呈现正向和反向光电响应。该视觉传感器在紫外、可见光、红外波段范围内均有着较好的光响应度，扩宽了光波的响应范围。基于此，本发明实现了光电突出器件在光学逻辑门、图像处理、神经形态计算等方面的应用。
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公开(公告)号：CN117936648B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410113370.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 西北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/102 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及钒氧化物纳米带/硅异质结及其制备方法和在光电探测器中的应用。具体为：采用水热法得到钒氧化物纳米带分散液；将单面抛光硅进行清洗干燥处理，得到处理单面抛光硅；将钒氧化物纳米带分散液滴涂于处理单面抛光硅的抛光面上，烘干至恒重后，重复滴涂干燥操作，然后经退火处理，得到钒氧化物纳米带/硅异质结。二维的钒氧化物纳米带在硅片表面铺展开，通过范德瓦尔斯力与硅片紧密结合。钒氧化物纳米带/硅异质结构的设计和制造同时克服了当前五氧化二钒/硅异质结光电探测性能和制备技术方面存在的缺陷，为制造高性能光电探测器提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN118619199A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310257372.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜，制备及其应用。所述MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜是通过双流体过滤装置制备得到的；具体制备过程包括如下步骤：将等浓度的MoS2纳米片水分散液和Ti3C2Tx纳米片水分散液分别逐滴加到双流体过滤装置的过滤杯的A、B室内，控制所述MoS2纳米片水分散液和Ti3C2Tx纳米片水分散液滴加的速率和体积相同，滴加完毕后打开真空抽滤系统，进行真空抽滤，抽滤结束后经烘干得到完整的MoS2/Ti3C2Tx平面异质膜。该制备方法操作简便，制备条件温和，得到异质膜兼具MoS2优异的光电性能和Ti3C2Tx光热性能，有望广泛应用于离子输运、能量转换、太阳能利用等方面。
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公开(公告)号：CN118380500B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410814136.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器及其制备方法，包括衬底层、下电极层、半导体层、铁电功能层和上电极层，下电极层位于衬底层一侧，半导体层、上电极层由下至上依次设置于衬底层远离下电极层的一侧，铁电功能层位于上电极层远离半导体层的一侧或衬底层与半导体层之间，通过施加外部电压控制铁电功能层的极化方向，当铁电功能层极化产生的铁电电场与内建电场的方向一致时，光电探测器的光电流呈开态；反之，光电探测器的光电流呈关态。本发明的光电探测器能通过控制铁电功能层的极化状态，可实现器件的开态/关态切换，在不同的极化状态下调节器件的光电性能，实现光电探测器的灵活控制和优化。
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公开(公告)号：CN114284375B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111599331.8
申请日：2021-12-24
Applicant: 广东省科学院微生物研究所(广东省微生物分析检测中心)
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种自供电异质结深紫外光电探测器及其制备方法。所述的探测器从下而上依次为基板、ε相Ga2O3薄膜、ZnO薄膜光敏层、顶电极和侧电极，其中，顶电极形成在光敏层上，侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄膜上，当侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄上时，光敏层与ε相Ga2O3薄膜之间形成异质结。该光电探测器的ε相Ga2O3薄膜与光敏层形成的异质结对深紫外光具有很高的选择性，并且在无电压施加的情况下，器件仍然有稳定的深紫外光探测能力。
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