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公开(公告)号：CN105931951A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610420343.2
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/223 , H01L21/2236
Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂，还可以用于砷化镓器件的掺杂，与传统的高温扩散和离子注入工艺相比，既便捷又经济。
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公开(公告)号：CN102881841B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210391045.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN103001121A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210521474.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法。本发明的混合光源包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP硅波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。本发明的混合光源可以应用于大规模集成光互连芯片。与已有的光泵表面等离激元混合光源相比，具有能用电驱动和与硅基芯片相集成的优点。
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公开(公告)号：CN102340097A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110278516.9
申请日：2011-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO2结构，相互导通的透明导电层；所述激光器结构通过透明导电层与SOI键合。本方法为：1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区；2)制备化合物半导体激光器结构；3)在所述激光器结构键合面上制备条形绝缘层；然后溅射透明导电氧化物薄膜；4)通过透明导电层将上述激光器结构键合在SOI硅片上。本发明降低了硅基激光器的工艺难度，缩短了制备周期，提高了器件效率和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222774A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145897.9
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法，属于有机或无机电致发光器件领域。本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见的单晶硅阳极对可见光有强的吸收，纳米厚度多晶硅薄膜作阳极时方块电阻太大等问题。本发明纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合阳极具有良好的透光性、导电性能好、功函数及空穴注入可调、工艺简单、成本低、稳定性好的特点。该阳极材料不但可应用有机发光二极管显示器等薄膜发光器件领域，进而有可能应用在光探测及光电池器件方面。
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公开(公告)号：CN101728488A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN1881646A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510077057.2
申请日：2005-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层，所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100％至0％。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10－5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层，并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，方法简单实用，与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6－8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面。
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公开(公告)号：CN1713408A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上还有Al层，和位于Al层上的Au层。本发明用薄Al/Au层或LiF/Al/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40－50％，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN109473346B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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