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公开(公告)号：CN104552436A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410746312.7
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种电动汽车零部件自动压孔机，一种电动汽车零部件自动压孔机，包括由底板、顶板及立柱组成的架体，所述立柱上端可移动设置有一移动板，下端固定设置有一固定板，所述顶板两侧套设于立柱上且各侧立柱上螺纹连接有两个定位套筒，所述两个定位套筒分别置于顶板上下部，所述顶板下表面设置有一气缸，移动板远离固定板的一侧面固定连接于气缸，且在气缸作用下相对固定板做直线往复运动；所述移动板上均匀设置有若干用于压孔的压孔柱，所述固定板上均匀设置有若干与压孔柱相对应的通孔，底板上设置有纸屑收集箱。本发明便于自动打孔、适用性强、便于自动一次性多孔压制、便于收集废料以集中处理。
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公开(公告)号：CN104300016A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410539485.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/06 , H01L31/02167 , H01L31/042
Abstract: 一种采用SiO2作为Window层的太阳能电池，包括有包括衬底、电池PN结构、SiO2Window层、Contact接触层；其中，所述衬底、电池PN结构、SiO2Window层、Contact接触层从上至下依次层叠设置。通过采用1-3nmSiO2薄层作为太阳能电池的Window层，通过隧穿效应与电池PN结相连接，可以非常有利于减少太阳光子能量损失，提高太阳能电池转换效率。
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公开(公告)号：CN106596020B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201611253923.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M7/02
Abstract: 本发明公开了一种折叠机翼动力学特性实验装置，底座主体采用稳定的“H”型结构，四周开有用于固定的螺纹孔，为了保证结构强度，设计了一组肋板焊接与底座侧壁与下板之间。底座可用相应的六角螺栓固定于激振台上，直线伺服电机通过圆锥销过盈配合将一端固定于底座上，另一端的电机动子和从动构件连接。使用一系列沉头螺钉将蒙皮覆于连杆机构表面。辅助系统可固定于底座壁板之上，模拟悬臂的边界条件。通电驱动直线伺服系统，电机动子可以进行不同速度的进给与回收运动，整个辅助机构通过运动部件的直线运动，驱动摇杆作绕铰链的圆周运动，外侧杆件通过机构自身的约束，做一种直线和圆周的耦合运动，且始终保持水平。
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公开(公告)号：CN108267285A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810363819.2
申请日：2018-04-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种使用舵机的三段折叠机翼动力学特性实验装置，属于飞行器实验技术领域。该实验装置包括固定底座、折叠机翼内段翼、折叠机翼中段翼和折叠机翼外段翼，该实验装置用以模拟折叠机翼的结构。固定底座与折叠机翼内段翼中的支撑铝型材、角码通过螺栓进行螺纹连接，折叠机翼内段翼的内段舵机与折叠机翼中段翼的舵机臂通过螺栓进行螺纹连接，折叠机翼中段翼)的舵机臂和折叠机翼外段翼的外段舵机通过螺栓进行螺纹连接，组成折叠机翼模型装置。本发明通过闭环控制系统保持内段翼与外段翼在运动当中的平行关系，同时操作简单、方便，极大程度上减少了占地空间，减轻了机构的整体质量和加工难度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104393830A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410540166.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02S40/22
Abstract: 一种应用在高效太阳电池中的新型聚光分光集成系统，该新型聚光分光集成系统包括聚光系统、分光系统、光伏电池；所述聚光系统包括低倍广角聚光元件；分光系统包括光谱分解元件a、光谱分解元件b；光伏电池包括子电池a、子电池b、子电池c；所述分光系统的光谱分解元件a、光谱分解元件b为二色镜；本聚光分光集成系统将各元器件封装在一个封闭空间内，子电池分别固定在底面或侧壁上，二色镜悬空固定于光路上，低倍广角聚光元件固定在封闭空间的顶部。本发明扩展了高效光伏电池材料、器件结构和制作工艺的选择空间，还可以在优化单位面积输出功率的同时有效降低聚光倍数，不需要常规聚光光伏系统中的散热装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300015A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410539502.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/0328 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/0328 , H01L31/035272 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/1848
Abstract: AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池，包括底电池、中间电池、顶电池以及连接各子电池的隧道结；所述底电池是Gepn结电池，所述中间电池Base层由晶格匹配的GaIn0.01As和In组分渐变的应变Ga1-xInxAs量子阱构成，所述顶电池是Base层为Al组分渐变的AlGaAs结构，所述多结太阳电池各子电池短路电流相等，并用隧道结相连接。同时，各子电池和其间的隧道结均与衬底实现晶格匹配。各子电池及其间的隧道结均用MOCVD在衬底上生长而成。该电池壳充分利用太阳光不同波段的光子能量，提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112202049B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
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公开(公告)号：CN104636591A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410748985.6
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种电动汽车转向稳定性的非线性分析方法，通过建立能够描述电动汽车转向的非线性动力学模型，构造非线性微分方程，然后运用绝热消去原理对构造的电动汽车转向非线性微分方程进行降阶处理，消去系统中快弛豫参量，得到简化后的非线性微分方程，最后根据等倾斜线原理，采用多步递推法绘制出电动汽车转向非线性动力学系统的相轨迹，将系统的平衡状态、稳定精度和稳定性直观的反映出来，分析出不同车速和转角下电动汽车转向过程中的稳定性。
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公开(公告)号：CN104300057A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535523.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0008
Abstract: 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法，该发明在P型氮化镓上制备电流阻挡层的同时制备了金属反射镜材料体系，从而在减少电极下方电流集中注入的现象同时，还可以使入射到电极体系上的部分光线反射回发光二级管内部。取外延结构；运用光刻办法，在外延结构的P型氮化镓上制作光刻胶掩膜形成N型台阶；采用蒸镀或溅射方法制作金属反射层，将电极位置以外的金属层剥离掉，形成金属反射层；运用等离子体增强化学气相沉积方法，在金属反射层上形成电流阻挡层；采用腐蚀液将没有光刻胶掩膜部分的透明导电薄膜去除后形成透明导电薄膜；蒸镀或溅射方法制作金属层形成金属电极；在外延片表面制作一层薄膜材料。
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公开(公告)号：CN104300052A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535508.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/26 , H01L2933/0008
Abstract: 一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂石墨烯层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂石墨烯层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂石墨烯层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的石墨烯超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
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