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公开(公告)号：CN117238955A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311375977.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L29/417 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种带有终端结构的功率半导体器件，其包括具有第一导电类型的衬底层和具有第一导电类型的漂移层；所述漂移层设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域的下方，所述第二掺杂区域位于漂移层表面；所述第二掺杂区域上设有主结，所述第一掺杂区域设有至少一个具有第二导电类型的第一场限环，其通过对场限环位置进行优化，以调节表面电场的横向和纵向扩展，使得在不增加终端结构所占半导体面积的情况下，可大大提高半导体终端的耐压水平，减少表面电荷对器件耐压水平的影响，使半导体器件终端的电场集中效应得到缓解，提升了器件的阻断特性。并有效降低界面电荷对器件阻断特性的影响，有效改善表面电场集中效应。
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公开(公告)号：CN119451196A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310946775.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 北京智慧能源研究院
Abstract: 一种Si/SiC异质结结构及其制作方法，所述异质结形成二极管的阳极区，P型Si位于N型SiC上方，Si/SiC异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119342875A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411890627.9
申请日：2024-12-20
IPC: H10D62/10 , H10D62/60 , H01L21/223 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种半导体功率器件的终端结构及其制作方法。半导体功率器件的终端结构包括漂移层和外延层，漂移层的导电类型为第一导电类型；外延层位于漂移层的一侧，外延层的导电类型为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同，外延层包括多个掺杂区，各掺杂区内的掺杂浓度沿第一预定方向递减或递增，第一预定方向与外延层的厚度方向垂直。解决了现有技术中如何提升半导体功率器件的耐压的技术问题。
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公开(公告)号：CN117747673B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
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公开(公告)号：CN119342877A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411891237.3
申请日：2024-12-20
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件以及晶体管。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一注入区，位于外延层中，第一注入区的远离衬底的表面与外延层的远离衬底的部分表面重叠；斜角沟道区，位于第一注入区中，斜角沟道区的导电类型与第一注入区的导电类型不同，斜角沟道区的远离衬底的表面与第一注入区的远离衬底的表面之间的夹角不为0°；栅极结构，位于外延层的远离衬底的部分表面上，斜角沟道区在衬底的正投影位于栅极结构在衬底的正投影中。本申请至少解决现有技术中半导体器件的沟道迁移率较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747673A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
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公开(公告)号：CN116053292A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210934974.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。上述的绝缘栅双极晶体管在降低导通压降时，不增加绝缘栅双极晶体管的关断损耗，能很好地满足高压大功率开关的应用要求。
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公开(公告)号：CN106611797A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510695743.X
申请日：2015-10-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/167 , H01L21/329 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/268 , H01L29/0684 , H01L29/167 , H01L29/6609
Abstract: 本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法，功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，在所述衬底N-层上生长有氧化层；在P+区内设有深能级掺杂层；深能级杂质的扩散完全依赖于温度，温度决定其扩散速度及在硅中的固溶度。在对深能级杂质进行热扩散时，采用单面退火，如激光退火方式进行，利用激光退火的局域温度分布在芯片轴向范围内实现深能级杂质的限定深度推结，本发明提供的技术方案实现器件局域金属寿命控制。
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公开(公告)号：CN103579322A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC: H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN106558624B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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