钽基一维纳米阵列电极制备方法

    公开(公告)号:CN104846396B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510272491.X

    申请日:2015-05-25

    CPC classification number: Y02E60/366 Y02P20/134

    Abstract: 本发明公开了一种钽基一维纳米阵列电极制备方法,以金属钽箔原料,将其放入气氛控制高温反应炉中进行表面高温控制氧化灼烧,得到表面分支定向生长的一维纳米阵列电极。得到的氧化物电极进一步转移到热处理炉中进行氮化热处理,通过控制氨气与水蒸气的比例以及流量和时间,将得到不同氮含量的钽的氮氧化物以及氮化物。制备的钽基一维纳米阵列电极分解水速率显著提高,通过复合负载相后其催化性能可进一步得到提高。本发明制备的可见光响应的钽基一维纳米阵列电极具有较高的光量子转化效率,用于太阳能转化利用,在光解水制氢、空气净化及水处理等方面具有很好的应用前景和经济效益。

    O,O‑二烃氧基磷氧肟酸的合成方法

    公开(公告)号:CN106565775A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610996588.X

    申请日:2016-11-13

    CPC classification number: C07F9/2416 C07F9/2408

    Abstract: 本发明公开了一种O,O‑二烃氧基磷氧肟酸的合成方法,属于有机合成技术领域。O,O‑二烃氧基磷氧肟酸化学结构式为(RO)2P(O)NHOH,R为碳链长度为4~20个碳的烃基,可以是饱和的烷基,也可以是含不饱和键的烯烃或者含有苯环的芳烃,烃基碳链长度为6~12的O,O‑二烃基磷氧肟酸合成产品可用作稀散金属萃取剂或其它金属萃取剂。用具有(RO)2P(O)Cl结构的O,O‑二烃氧基磷酰氯与加有少量阴离子表面活性剂的羟胺水溶液反应合成O,O‑二烃氧基磷氧肟酸,本发明具有如下优点:O,O‑二烃基磷氧肟酸合成工艺简单,生产成本低,在加有少量阴离子表面活性剂的作用下该合成反应速度快,目的产物收率高。

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