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公开(公告)号：CN107858657A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711262857.0
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/042 , C23C14/354
Abstract: 本发明涉及一种在薄膜沉积过程中通过添加能量场模块完成高通量薄膜成分和显微组织的调控，实现薄膜成分和组织的高通量制备方法，具体是一种外加能量场模块对高通量薄膜的组织调控制备方法及装置，实现对高通量薄膜成分和组织的高通量筛选。测试仪器包括掩膜控制系统、外加能量场控制器、XRD分析仪、以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分和组织梯度变化的薄膜样品，主要利用掩膜的运动和外加能量场的改变使得基体表面不同位置薄膜在不同时间下沉积，使得先沉积的薄膜和后沉积的薄膜具有不同的成分和显微组织结构，最终根据使用性能的高通量表征技术筛选出具有最优性能的成分和组织结构。
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公开(公告)号：CN103114276A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310074074.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种快速制备类金刚石薄膜的方法及装备。采用射频空心阴极效应，将等离子体束缚在一个特定的区域，负辉区合并，气体离化率成倍增加。同时，射频辉光放电过程中，电子被束缚在电极间，在放电空间来回运动，增加了与气体分子碰撞的次数，使电离能力显著提高从而提高等离子体的密度和能量，进而提高薄膜的沉积速率和膜质量，并显著提高生产效率，降低产品成本，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN101619445A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910089144.8
申请日：2009-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种透明导电薄膜材料的制备方法，涉及导电薄膜材料的制备。本发明采用中频反应磁控溅射系统，通过控制制备前基体在等离子体中清洗和刻蚀，制备过程中采用纯度较高的金属Al靶和高纯度ZnO靶进行双靶共溅射并由等离子体辅助，制备结束后进行等离子体刻蚀技术，通过控制养损耗解决低温沉积不能得到较高的透光率、较低的电阻率的透明导电薄膜。本发明简单易行，有效解决了金属元素比例难以控制的问题，所有原料都比较常见，并且无污染、工艺简单，可以使用现有的ITO生产线，不需要升级改造既可实现工业化生产，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1851038A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610011993.8
申请日：2006-05-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化铬复合涂层的制备方法，涉及硬质涂层的制备。本发明主要解决传统硬质涂层摩擦系数高、粘结强度差、耐腐蚀性差等问题，以及解决多金属元素复合涂层各金属元素比例难以控制的问题。提出采用非平衡射频反应磁控溅射系统和耐腐蚀性较强且其氧化物又具有较高硬度的铬，用单一铬金属靶来制备复合涂层，制备时先溅射铬金属作为过渡层，然后通入氧气，不断调整氧气流量和溅射功率，当氧气流量达到最高值时，加上直流负偏压。本发明制备的涂层摩擦系数低，耐磨性高，同时具有良好的耐腐蚀性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN108520855B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810445499.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公一种纳米银浆提高陶瓷覆铜板可靠性的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷基片进行清洗（2）依次在陶瓷上下表面采用真空磁控溅射或离子镀Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层，并化学镀银；（3）在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆纳米银焊膏层，和化学镀银铜箔装卡后在真空炉中进行烧结。由于采用上述技术方案，本发明方法利用纳米银浆使陶瓷基板实现厚铜连接，银粉粒度达到纳米级别，其表面效应会使纳米银浆的熔点远低于与银块体材料。与现有Ag‑Cu合金真空钎焊工艺相比，本发明可实现低温下烧结后，可以在低于银的熔点以下高温使用，烧结后形成的微孔结构对缓解陶瓷基板由于热胀系数不匹配造成的热应力有重要作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108034928A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711262864.0
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品，薄膜样品要求在横向上成分梯度分布，在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热，激光采用线扫的方式自上向下扫描，激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同，热处理工艺参数不同，横向上成分不同，热处理工艺参数相同，因此可以研究成分‑组织对性能的影响。
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公开(公告)号：CN103114266A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310075003.7
申请日：2013-03-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明针对有机物元件挥发污染及电磁干扰的问题，提出一种通过低温（不能超过有机物软化温度）物理涂镀的方法和可靠工艺在有机物表面涂镀一层或多层金属涂层，使该金属涂层能全面包覆有机物元件，并具有在静磁场、各种频率下的电磁屏蔽功能。涂层成份包括高磁导率的铁、钴、镍及高电导率的金、银、铜、铝等两类金属，涂层的厚度根据需要可以从纳米级别到微米级别可控，涂镀的具体方法和工艺可根据不同材料和工况的需要选择溅射、蒸镀、脉冲、电弧等各种等离子真空沉积，这些制备工艺成熟可靠，成本较低，适合大工业化生产。
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公开(公告)号：CN1160477C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02116688.9
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供了一种霍尔型离子辅助蒸发源，由阴极灯丝(31)、阳极(32)、供气系统、磁路等部件组成，其特征在于：蒸发源通过法兰背板(36)安装在未详细说明的真空室壁上。在蒸发源的上部安装有可发射热电子的阴极灯丝(31)，灯丝通过陶瓷绝缘垫(37)与离子源其他部件绝缘；在放电室(38)下部安装了阳极(32)，在阳极上构造出装载膜料的坩埚(39)，坩埚底部有水冷室(40)，阳极通过螺栓(41)与下部的布气板(42)连接；在布气板上构造出环型布气槽(43)。本发明的优点在于：可以用来镀前清洗，在用金属膜料镀制非金属膜时，可以将反应气体直接馈入蒸发源内并使其离化，从而进行反应镀膜，增加反应程度。
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公开(公告)号：CN112903394A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110185020.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 提供了一种测量涂层断裂韧性的方法和装置，所述方法包括：准备至少两个彼此相同的基底，并将至少一个基底用作无涂层的标准试样；在其余基底上形成待测涂层以获得待测试样；以相同的预定拉伸速率对标准试样和待测试样执行相同的拉伸加载以获得与标准试样对应的第一载荷位移曲线和与待测试样对应的第二载荷位移曲线；基于第一载荷位移曲线和第二载荷位移曲线获得所述待测涂层的断裂能量；以及基于所述断裂能量计算所述待测涂层的断裂韧性，其中，选择所述基底的材料，使得所述待测涂层的断裂韧性小于所述基底的断裂韧性。
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公开(公告)号：CN110396671B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910722742.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高通量制备多组分均匀薄膜材料的装置和方法，涉及薄膜制备技术领域，能够通过一次实验制备出多种不同材料成分的均匀的薄膜样品，大大提高制备效率；该装置包括反应腔室，所述反应腔室内设有沉积台平板、驱动系统和溅射靶，所述溅射靶吊设在所述反应腔室的顶部；所述沉积台平板上设有若干旋转沉积微区单元，所述旋转沉积微区单元穿过所述沉积台平板，且与所述沉积台平板间可旋转的连接；所述旋转沉积微区单元与所述驱动系统连接，在所述驱动系统的动力驱动下实现同步旋转。本发明提供的技术方案适用于溅射制备薄膜的过程中。
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