-
公开(公告)号：CN101615467A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910085267.4
申请日：2009-06-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。本方法采用铬和氧化锌双靶共溅射，系统的本底真空度为10－5Pa－10－3Pa，溅射过程中工作气体为高纯氩气，流量为5－15cm3/min，溅射过程中的工作气压为10－2－10－1Pa，靶材与基体间的距离为35－70mm。基体经超声清洗和除去表面氧化物和其它杂质后，通过改变不同的靶功率得到不同掺杂浓度的氧化锌基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何后续的处理就可以得到室温铁磁性能和高的居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN100438115C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410009937.1
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。
-
公开(公告)号：CN100408719C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610011993.8
申请日：2006-05-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化铬复合涂层的制备方法，涉及硬质涂层的制备。本发明主要解决传统硬质涂层摩擦系数高、粘结强度差、耐腐蚀性差等问题，以及解决多金属元素复合涂层各金属元素比例难以控制的问题。提出采用非平衡射频反应磁控溅射系统和耐腐蚀性较强且其氧化物又具有较高硬度的铬，用单一铬金属靶来制备复合涂层，制备时先溅射铬金属作为过渡层，然后通入氧气，不断调整氧气流量和溅射功率，当氧气流量达到最高值时，加上直流负偏压。本发明制备的涂层摩擦系数低，耐磨性高，同时具有良好的耐腐蚀性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN1604228A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410009724.9
申请日：2004-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11C11/15 , H01L43/00 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法。采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属7～8层膜，然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的7～8层膜器件。存储器存储单元包括：底电极层，底隔离层、自由铁磁层、巨磁电阻自旋阀结构或铁磁性隧道结结构。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌散射主自旋的特性，大幅度的降低了在巨磁电阻自旋阀或铁磁性隧道结中实现CIMS所需要的写电流，降低了能量损耗，为实现超高存储密度的MRAM提供了可能性。
-
公开(公告)号：CN1397660A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02116687.0
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射阴极及其溅射方法，其特征在于：法兰(28)安装于真空室壁上，在法兰(28)上有密封胶圈(26)和固定螺栓孔(27)，基片(37)置于阴极上方进行溅射镀膜；对于具有轴对称的圆形磁控溅射阴极，铁磁性靶材由中心圆形靶材(21’)和外侧环型靶材(21)组成，中心圆形靶材与外侧环形靶材之间有5－60mm的间隙，溅射在间隙附近发生；靶材(21，21’)、磁极(22，22’)、磁铁(23，23’)和磁极背板(38)构成闭合磁路；其中磁极和磁极背板采用高饱和磁化强度材料；靶体(33)采用具有良好导热性的材料制造。在溅射过程中，等离子体中的离子对靶材表面的轰击，将有大量的热能产生，在靶体内构造出冷却水道(39)。本发明的优点在于：克服了铁磁性靶材对磁路的屏蔽效应；增加一致性，易于安装和维护。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103308439A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310240523.9
申请日：2013-06-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明提出一种评定金属腐蚀产物膜有效孔隙率的方法，包括：获取经过腐蚀的带有腐蚀产物膜的金属样品；配置能与金属样品中的金属基体发生置换反应的金属置换溶液；将带有腐蚀产物膜的金属样品浸没在金属置换溶液后清洗，获取带有处理后腐蚀产物膜的金属样品；计算处理后腐蚀产物膜中置换金属X的特征峰值与腐蚀产物的特征峰值的比值，并根据所述比值获取所述处理后腐蚀产物膜中置换金属的质量分数；计算腐蚀产物膜有效孔隙率。本发明提供的技术方案通过腐蚀产物膜有效孔隙率的测量来评定腐蚀产物膜的保护性，更加准确和科学地评估腐蚀产物膜的保护性及了解金属腐蚀行为，且该方法简易、快速，成本低廉，便于在生产和实验中应用。
-
公开(公告)号：CN103114276A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310074074.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种快速制备类金刚石薄膜的方法及装备。采用射频空心阴极效应，将等离子体束缚在一个特定的区域，负辉区合并，气体离化率成倍增加。同时，射频辉光放电过程中，电子被束缚在电极间，在放电空间来回运动，增加了与气体分子碰撞的次数，使电离能力显著提高从而提高等离子体的密度和能量，进而提高薄膜的沉积速率和膜质量，并显著提高生产效率，降低产品成本，易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN101619445A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910089144.8
申请日：2009-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种透明导电薄膜材料的制备方法，涉及导电薄膜材料的制备。本发明采用中频反应磁控溅射系统，通过控制制备前基体在等离子体中清洗和刻蚀，制备过程中采用纯度较高的金属Al靶和高纯度ZnO靶进行双靶共溅射并由等离子体辅助，制备结束后进行等离子体刻蚀技术，通过控制养损耗解决低温沉积不能得到较高的透光率、较低的电阻率的透明导电薄膜。本发明简单易行，有效解决了金属元素比例难以控制的问题，所有原料都比较常见，并且无污染、工艺简单，可以使用现有的ITO生产线，不需要升级改造既可实现工业化生产，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN1851038A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610011993.8
申请日：2006-05-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化铬复合涂层的制备方法，涉及硬质涂层的制备。本发明主要解决传统硬质涂层摩擦系数高、粘结强度差、耐腐蚀性差等问题，以及解决多金属元素复合涂层各金属元素比例难以控制的问题。提出采用非平衡射频反应磁控溅射系统和耐腐蚀性较强且其氧化物又具有较高硬度的铬，用单一铬金属靶来制备复合涂层，制备时先溅射铬金属作为过渡层，然后通入氧气，不断调整氧气流量和溅射功率，当氧气流量达到最高值时，加上直流负偏压。本发明制备的涂层摩擦系数低，耐磨性高，同时具有良好的耐腐蚀性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN103308439B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310240523.9
申请日：2013-06-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明提出一种评定金属腐蚀产物膜有效孔隙率的方法，包括：获取经过腐蚀的带有腐蚀产物膜的金属样品；配置能与金属样品中的金属基体发生置换反应的金属置换溶液；将带有腐蚀产物膜的金属样品浸没在金属置换溶液后清洗，获取带有处理后腐蚀产物膜的金属样品；计算处理后腐蚀产物膜中置换金属X的特征峰值与腐蚀产物的特征峰值的比值，并根据所述比值获取所述处理后腐蚀产物膜中置换金属的质量分数；计算腐蚀产物膜有效孔隙率。本发明提供的技术方案通过腐蚀产物膜有效孔隙率的测量来评定腐蚀产物膜的保护性，更加准确和科学地评估腐蚀产物膜的保护性及了解金属腐蚀行为，且该方法简易、快速，成本低廉，便于在生产和实验中应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.023 seconds)
