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公开(公告)号：CN106784028A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611249948.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/146 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括具有光束分束功能的亚波长光栅，以及位于亚波长光栅上方的光电探测器组；所述亚波长光栅与光电探测器组间设有键合介质层。在处理大功率、高速、高动态范围的入射光信号时，其包含的高性能亚波长分束光栅将该光信号分为多束功率较小、动态范围较小的光信号并分别由光电探测器阵列中的各分布式光电探测器进行光电转换，各光电探测器产生的电信号在大电极处叠加从而还原原注入信号。本方案克服了单个光电探测器无法处理过大功率及过大动态范围的光信号的弊端，也克服了传统光电探测器阵列耦合方式及制备工艺复杂的缺点，相较于前两者具有工艺简单易于制备、饱和功率大、动态范围大、响应度高的特点。
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公开(公告)号：CN106772797A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611184920.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列，所述光电芯片包括衬底、光吸收单元和光发射单元；所述光发射单元的光激射波长为光电芯片的发射光谱区，所述光吸收单元吸收波长为光电芯片的吸收光谱区，所述吸收光谱区和所述发射光谱区不重叠；所述光吸收单元包括依次层叠于衬底上的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，所述第三半导体材料上设有绝缘层，所述光吸收单元和光发射单元通过绝缘层电隔离；光发射单元包括第一反射镜、光学腔和第二反射镜，所述光学腔位于第一反射镜上，所述第二反射镜位于光学腔上。只应用一个光学腔，同时起到光发射上的谐振增强与光吸收上的高透滤波功能，实现光信号的发射与接收。
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公开(公告)号：CN105185862B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510319023.3
申请日：2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法，涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅；外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片；采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅；最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域，具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN105845768A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610460603.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/0304 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/07 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法及装置，太阳能电池包括：衬底、纳米线阵列、电介质、石墨烯、正电极和负电极；所述纳米线阵列生长在所述衬底上；所述电介质填充在所述纳米线阵列包含的纳米线周围，所述电介质的顶部不高于所述纳米线阵列的顶部；所述石墨烯覆盖在所述纳米线阵列和所述电介质的顶部；所述正电极沉积在所述石墨烯之上，且不完全覆盖所述石墨烯；所述负电极沉积在所述衬底的外部。应用本发明实施例，能够提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104555899A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410795565.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提出一种借助金属纳米颗粒缩小自卷曲微米管直径的方法，包括步骤：在衬底上，或在虚拟衬底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积牺牲层；在牺牲层上沉积应变薄膜；进行第一次光刻和腐蚀，使应变薄膜形成台面，使牺牲层暴露出来；进行第二次光刻，利用光刻胶形成图形窗口；沉积金属薄膜，高温退火使得金属薄膜形成金属纳米颗粒；对牺牲层进行侧向腐蚀，使得表面覆盖有金属纳米颗粒的应变薄膜自卷曲成管。本发明可在不改变薄膜厚度和应变下，仅借助金属纳米颗粒就能显著缩小自卷曲微米管的直径，可以容易地制备出直径在1微米附近的自卷曲微米管，甚至直径低至几百纳米的纳米管及其规则阵列，同时可保证微米管或纳米管具有优良的机械特性和结构特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151710A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110401751.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
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公开(公告)号：CN102565924A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010596429.3
申请日：2010-12-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明公开了一种具有非对称双芯结构的微结构光纤，包括包层和纤芯，所述包层由多层位于正六边形网格结点上的圆形空气孔构成，所述纤芯为两个，其中一个由所述网格结点上的m个空气孔的缺失形成的圆形纤芯，另一个是通过在位于所述网格结点上的n个空气孔的内壁沉积半导体材料而形成的环形纤芯。调节本发明双芯微结构光纤的结构参量，可使两个纤芯模式在1.55微米处实现共振，在共振波长处两纤芯间能发生完全耦合，其超模群折射率演化明显不同于单个纤芯导模的群折射率演化，从而可实现快慢光传输，且本发明具有皮秒级脉冲多比特光学延迟、带宽相对较大及结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN102050426A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237082.0
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。
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公开(公告)号：CN100388575C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN03120468.6
申请日：2003-03-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/10 , H01L21/306 , C23F1/16 , H01L31/18 , H01L33/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN1632925A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410088544.4
申请日：2004-11-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/302 , C11D7/34 , C09K13/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH2)2)，硫化氨((NH4)2Sx)或氯化硫(S2Cl2)，溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水，溶液浓度为0.1％～50％；本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗，除去表面的油渍，将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间的高质量键合，并且环保。
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