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公开(公告)号:CN109004508A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201810722562.5
申请日:2018-07-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于量子点的单光子源,包括:衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4);所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上;所述金属微纳结构(3)包括:两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球,所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1),所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间,并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔;所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上,包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)。本发明实施例,通过增加增益介质层,以减少金属微纳结构的损耗,解决不易获得单光子的问题。
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公开(公告)号:CN105404073B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201510908554.6
申请日:2015-12-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明实施例公开了两种全光逻辑器件,第一种全光逻辑器件包括:两个具有延时器件的光波导、量子点‑双模微腔、第一模式光子探测器和第二模式光子探测器;其中,第一光波导的第一延时参数与第二光波导的第二延时参数之间的差值为预先根据试验结果设置的特定时延值Δt。第二种全光逻辑器件包括:两个偏振分束器、五个不具有延时器件的光波导、三个量子点‑双模微腔、第一模式光子探测器和第二模式光子探测器;三个量子点‑双模微腔,在输入的光信号仅有一种模式光信号时,输出的该种模式响应光信号对输出的另一种模式的响应光信号具有相同的特定时延值Δt。基于量子干涉相消效应,上述全光逻辑器件能够实现逻辑“非”、“与”和“或”的功能。
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公开(公告)号:CN103177134A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201110436198.4
申请日:2011-12-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法,所述方法包括以下步骤:选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型;根据所述理论模型的贯穿和失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用以及位错应变场与自由表面的相互作用,利用有限元法,得出整个系统的应力应变分布情况;基于系统的应力应变分布情况以及能量平衡原理,得到利用量子点抑制贯穿位错的临界条件;形成抑制异变外延生长中贯穿位错的结构。所述结构,包括沿材料生长方向依次生长的衬底、异变缓冲层、多层自组织量子点结构以及有源区,所述多层自组织量子点结构达到量子点抑制贯穿位错的临界条件。本发明有效抑制贯穿位错密度,使其达到器件应用水平。
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