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公开(公告)号：CN112415657B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011405086.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本公开实施例提供一种片上集成光学互易二极管及光通讯设备。片上集成光学互易二极管包括：第一硅波导，包括第一端口和第二端口；光栅硅波导，被配置为接收由所述第一硅波导输入的光信号，包括沿垂直于所述第二端口的方向依次等间隔排列的多个硅单元；第二硅波导，与所述光栅硅波导耦合连接且延伸方向平行于所述多个硅单元的排列方向，包括靠近所述第一硅波导的第三端口和远离所述第一硅波导的第四端口；其中，所述第一端口和所述第四端口中，其中一个为片上集成光学互易二极管的输入端口，另一个为片上集成光学互易二极管的输出端口。
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公开(公告)号：CN112394450B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011382754.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本公开提供一种模式转换器，包括：硅衬底、位于硅衬底一侧的二氧化硅层，以及位于二氧化硅层远离硅衬底的一侧且同层设置的硅层、第一介质模块层和第二介质模块层，其中，第一介质模块层部分嵌入硅层，第二介质模块层嵌入硅层，第一介质模块层在硅衬底上投影呈镜像对称且共用上底的两个直角梯形，第二介质模块层在硅衬底上投影呈直角梯形。
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公开(公告)号：CN109743563B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910153347.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04N13/30 , H04N13/398 , H04N13/31
Abstract: 本发明实施例提供了一种裸眼3D显示方法及系统，系统包括：显示屏，控制电路和光栅板。显示屏获取视频帧，并显示视频帧；视频帧包括类型标识，类型标识为指示视频帧为左眼视频帧的标识，或指示视频帧为右眼视频帧的标识；控制电路获取类型标识，根据类型标识，生成光栅控制信号，将光栅控制信号发送给光栅板；光栅板根据光栅控制信号，改变条纹开启状态。可见控制电路能够实时获取视频帧中的类型标识，从而准确提取视频帧的同步信号，相比于现有技术，提高了3D显示效果。
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公开(公告)号：CN109743563A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910153347.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04N13/30 , H04N13/398 , H04N13/31
Abstract: 本发明实施例提供了一种裸眼3D显示方法及系统，系统包括：显示屏，控制电路和光栅板。显示屏获取视频帧，并显示视频帧；视频帧包括类型标识，类型标识为指示视频帧为左眼视频帧的标识，或指示视频帧为右眼视频帧的标识；控制电路获取类型标识，根据类型标识，生成光栅控制信号，将光栅控制信号发送给光栅板；光栅板根据光栅控制信号，改变条纹开启状态。可见控制电路能够实时获取视频帧中的类型标识，从而准确提取视频帧的同步信号，相比于现有技术，提高了3D显示效果。
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公开(公告)号：CN109004508A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810722562.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于量子点的单光子源，包括：衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4)；所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上；所述金属微纳结构(3)包括：两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球，所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1)，所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间，并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔；所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上，包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)。本发明实施例，通过增加增益介质层，以减少金属微纳结构的损耗，解决不易获得单光子的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105404073B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510908554.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明实施例公开了两种全光逻辑器件，第一种全光逻辑器件包括：两个具有延时器件的光波导、量子点‑双模微腔、第一模式光子探测器和第二模式光子探测器；其中，第一光波导的第一延时参数与第二光波导的第二延时参数之间的差值为预先根据试验结果设置的特定时延值Δt。第二种全光逻辑器件包括：两个偏振分束器、五个不具有延时器件的光波导、三个量子点‑双模微腔、第一模式光子探测器和第二模式光子探测器；三个量子点‑双模微腔，在输入的光信号仅有一种模式光信号时，输出的该种模式响应光信号对输出的另一种模式的响应光信号具有相同的特定时延值Δt。基于量子干涉相消效应，上述全光逻辑器件能够实现逻辑“非”、“与”和“或”的功能。
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公开(公告)号：CN103176272B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110433693.X
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的平面与所述三维曲面交界得到交界曲线，得到初始介质分布模型；利用有限元方法计算所述初始二维光子晶体结构的绝对带隙宽度，计算绝对带隙宽度对初始介质分布的梯度并得到能够提高所述绝对带隙宽度的介质分布区域；将控制点高度作为优化变量与所述绝对带隙宽度一起代入到优化算法中，得到最优的光子晶体结构。本发明以较高的计算效率得到具有更宽绝对带隙的二维光子晶体结构，有利于提高光子晶体波导信号带宽。
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公开(公告)号：CN103177134A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110436198.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法，所述方法包括以下步骤：选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型；根据所述理论模型的贯穿和失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用以及位错应变场与自由表面的相互作用，利用有限元法，得出整个系统的应力应变分布情况；基于系统的应力应变分布情况以及能量平衡原理，得到利用量子点抑制贯穿位错的临界条件；形成抑制异变外延生长中贯穿位错的结构。所述结构，包括沿材料生长方向依次生长的衬底、异变缓冲层、多层自组织量子点结构以及有源区，所述多层自组织量子点结构达到量子点抑制贯穿位错的临界条件。本发明有效抑制贯穿位错密度，使其达到器件应用水平。
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公开(公告)号：CN103176272A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110433693.X
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的平面与所述三维曲面交界得到交界曲线，得到初始介质分布模型；利用有限元方法计算所述初始二维光子晶体结构的绝对带隙宽度，计算绝对带隙宽度对初始介质分布的梯度并得到能够提高所述绝对带隙宽度的介质分布区域；将控制点高度作为优化变量与所述绝对带隙宽度一起代入到优化算法中，得到最优的光子晶体结构。本发明以较高的计算效率得到具有更宽绝对带隙的二维光子晶体结构，有利于提高光子晶体波导信号带宽。
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公开(公告)号：CN112415657A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011405086.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本公开实施例提供一种片上集成光学互易二极管及光通讯设备。片上集成光学互易二极管包括：第一硅波导，包括第一端口和第二端口；光栅硅波导，被配置为接收由所述第一硅波导输入的光信号，包括沿垂直于所述第二端口的方向依次等间隔排列的多个硅单元；第二硅波导，与所述光栅硅波导耦合连接且延伸方向平行于所述多个硅单元的排列方向，包括靠近所述第一硅波导的第三端口和远离所述第一硅波导的第四端口；其中，所述第一端口和所述第四端口中，其中一个为片上集成光学互易二极管的输入端口，另一个为片上集成光学互易二极管的输出端口。
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