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公开(公告)号：CN103176272B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110433693.X
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的平面与所述三维曲面交界得到交界曲线，得到初始介质分布模型；利用有限元方法计算所述初始二维光子晶体结构的绝对带隙宽度，计算绝对带隙宽度对初始介质分布的梯度并得到能够提高所述绝对带隙宽度的介质分布区域；将控制点高度作为优化变量与所述绝对带隙宽度一起代入到优化算法中，得到最优的光子晶体结构。本发明以较高的计算效率得到具有更宽绝对带隙的二维光子晶体结构，有利于提高光子晶体波导信号带宽。
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公开(公告)号：CN103177134A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110436198.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种抑制异变外延生长中贯穿位错的结构与方法，所述方法包括以下步骤：选取适合的生长在应变缓冲层上的量子点几何模型作为理论模型；根据所述理论模型的贯穿和失配位错应变场与晶格失配应变场的相互作用以及位错应变场与自由表面的相互作用，利用有限元法，得出整个系统的应力应变分布情况；基于系统的应力应变分布情况以及能量平衡原理，得到利用量子点抑制贯穿位错的临界条件；形成抑制异变外延生长中贯穿位错的结构。所述结构，包括沿材料生长方向依次生长的衬底、异变缓冲层、多层自组织量子点结构以及有源区，所述多层自组织量子点结构达到量子点抑制贯穿位错的临界条件。本发明有效抑制贯穿位错密度，使其达到器件应用水平。
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公开(公告)号：CN103176272A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110433693.X
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体最大绝对带隙结构优化方法，包括以下步骤：选择初始二维光子晶体结构及其优化区域；在所述优化区域设定若干控制点并赋予高度；利用控制点二维坐标及其高度拟合出一个三维曲面的曲面方程；由高度方向值为0的平面与所述三维曲面交界得到交界曲线，得到初始介质分布模型；利用有限元方法计算所述初始二维光子晶体结构的绝对带隙宽度，计算绝对带隙宽度对初始介质分布的梯度并得到能够提高所述绝对带隙宽度的介质分布区域；将控制点高度作为优化变量与所述绝对带隙宽度一起代入到优化算法中，得到最优的光子晶体结构。本发明以较高的计算效率得到具有更宽绝对带隙的二维光子晶体结构，有利于提高光子晶体波导信号带宽。
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