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公开(公告)号：CN105742394A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610111817.5
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于黑磷/石墨烯异质结构的紫外探测器及其制备方法，本发明的探测器包括衬底、绝缘层以及黑磷/石墨烯异质结构，所述绝缘层覆盖于衬底上，所述黑磷/石墨烯异质结构由黑磷和石墨烯堆垛而成，位于所述绝缘层上。本发明利用黑磷/石墨烯异质结构弥补黑磷自身的不足，可在不影响黑磷自身优势的前提下提升探测器性能。
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公开(公告)号：CN103367370B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN103326782B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310184928.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/2557 , H04L27/38
Abstract: 本发明公开了一种提高多载波光源载噪比的方法，通过S1、在光放大器之后设置时延干涉仪；S2、入射到所述时延干涉仪的信号被分成强度相同的两路，一路为时延路，用于对信号附加时延，另一路为调相路，用于对信号附加相位；S3、所述时延路和所述调相路合并，通过选择合适的时延和相移实现对所有子载波中心频率处干涉相长和相邻子载波间中点频率处干涉相消。本发明提供的方法既适用于环路结构的多载波光源或光频梳，也适用于非环路结构的多载波光源或光频梳，使用时延干涉仪以达到抑制光放大器产生的放大自发辐射噪声的目的，提高载噪比，可以提高10-15dB，从而为更高速率的网络通信系统实用化提供技术支持。
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公开(公告)号：CN105140330A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103378209A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210147762.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325663A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210080333.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118400126A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410336447.X
申请日：2024-03-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于智能合约的分布式安全动态访问控制方法，该方法包括：DO将数据的密文以及数据哈希存储至IPFS中，并获取IPFS返回的存储地址，将存储地址作为数据资源；DO通过在BC中部署的智能合约将数据资源存储至BC中；BC在接收到DU对数据资源的访问请求时，在通过智能合约判定DU具备访问权限的情况下，BC将数据资源返回给DU；DU通过数据资源从IPFS中获取数据的密文以及数据哈希；DU通过从TCA获取的解密密钥对数据密文进行解密。本发明结合了去中心化存储方案IPFS、区块链和基于属性的访问控制技术，既实现了安全共享数据，又缓解区块链的存储压力。
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公开(公告)号：CN118229994A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410272006.8
申请日：2024-03-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06V10/46 , G06V10/774 , G06V10/40 , G06V10/80
Abstract: 本发明提供一种显著性目标检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：对待检测图像进行特征提取，得到待检测图像对应的待检测图像特征；将待检测图像特征输入图像描述网络中，得到图像描述网络输出的图像描述信息特征，图像描述网络为基于至少一个样本图像以及各样本图像对应的文本描述标签对初始图像描述网络进行训练后得到的，图像描述信息特征用于表征待检测图像的语义信息；基于待检测图像特征和图像描述信息特征进行特征融合得到融合特征；基于融合特征进行卷积处理，得到待检测图像对应的显著性目标检测图像。由于融合特征是融合了图像信息和图像语义信息的多模态特征，因此基于该融合特征可以提高显著性目标检测的准确度。
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公开(公告)号：CN113176694A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110432630.6
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请实施例公开了一种光学相控阵及其制备方法，所述光学相控阵包括：衬底层、偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构；其中，所述偏振分束器与至少两个功率分束器连接，每个功率分束器分别与多个无源相差产生结构连接，且所述偏振分束器、功率分束器以及无源相差产生结构均刻蚀于衬底层上。本申请实施例通过偏振分束器、至少两个功率分束器以及多个无源相差产生结构构建结构紧凑的光学相控阵，具有小尺寸、低功耗、大角度、高精度等优点。
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公开(公告)号：CN112966537A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110185463.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于二维码定位的表单识别方法及系统，该方法包括：对待识别的表单进行扫描，获取表单图像，表单是在预设的表单模板上进行填写得到的；将表单图像和对应的表单模板进行匹配，根据匹配结果，获取表单图像中定位二维码的二维码位置偏移量，并根据二维码位置偏移量，得到表单图像中的文字区域坐标信息；根据文字区域坐标信息，获取表单图像中的文本区域图片，并将文本区域图片输入到训练好的文字识别模型中，得到表单图像的文字识别信息，训练好的文字识别模型是由样本文本区域图片，对卷积递归神经网络进行训练得到的。本发明有效克服文字检测阶段多目标检测带来的巨大开销，准确获取文本框的位置坐标，精确地将文字内容识别。
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