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公开(公告)号：CN106929917A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710280810.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC classification number: C30B29/30 , C30B15/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
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公开(公告)号：CN106283194A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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公开(公告)号：CN101550598A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN100510204C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、锰、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN101275275A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710151176.7
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是，将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中，将密闭容器内部抽真空，使真空度小于0.5帕，并将容器内部保持一定的高温，用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压，以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时～120小时的处理，获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号：01144332.4)比较，用含锂化合物代替多晶料，第一可以反复使用，大大降低成本；第二可以提高气氛中的锂含量，从而提高扩散速度，减少扩散时间；第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量，从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101169569A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710150590.6
申请日：2007-11-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 一种双掺铌酸锂晶体，本发明属非线性光学晶体领域。其化学式可表示为：LiNbO3∶Fe，Zr，其中Fe2O3的掺杂范围是：0.01～0.05wt％，ZrO2的掺杂范围是0.4～6.0mol％。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中，具有掺杂阈值低，易于生长出高品质晶体的特点，且晶体具有优异的光折变性能，其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级，比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级，比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍；光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2～3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体，具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点，因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1330798C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号：CN1176486C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度小于1秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察省时、省力。
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公开(公告)号：CN1277271A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00121092.0
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/243 , C01G33/00 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , G11B7/0065 , G11B7/26 , G11C13/041
Abstract: 本发明属光折变晶体材料领域。它的组成是：Li1－xNb1+yO3∶Fem,Mn,其中M是镁、铟或锌中的一种,用q来表示M离子的价态(M为镁、锌时q=2,M为铟时q=3),则x,y,m,n的取值范围分别是:0.05≤x≤0.13,0.00≤y≤0.01,5.0×10－5≤m≤7.5×10－4,0.02≤qn≤0.13。本发明大幅提高了铌酸锂晶体的光折变特性,使其具有高衍射效率(68%以上)、快光折变响应比掺铁铌酸锂晶体缩短了一个数量级和强抗光散射能力,光折变扇形光散射光强阈值比掺铁铌酸锂晶体提高近两个数量级。本发明是优良的三维全息光盘材料,具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN106283194B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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