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公开(公告)号：CN1362546A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01144332.4
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种获得近化学计量比铌酸锂晶片的方法:利用气相传输平衡(Vaportransport equilibration,简称VTE)技术,在高温、富锂的气氛中,通过锂离子的扩散,使铌酸锂(包括名义纯和掺杂)晶片达到近化学计量比。该技术制作的晶片中Li2O的含量49mol.%以上,可非常接近50mol.%,且均匀性很好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导、频率转换、周期极化、全息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1330798C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号：CN100487171C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710057399.7
申请日：2007-05-21
Abstract: 本发明一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法涉及以材料为特征的单晶生长领域，该晶体的组成为：LiaNbbO3:FecCod，其中，a、b、c、和d的取值分别是，a＝0.93800、b＝1.00000、c＝0.00005～0.00075、d＝0.00005～0.00050；其制备方法的主要步骤为：(1)配料、混合、煅烧，(2)熔化、提拉晶体，(3)单畴化并退火、切片、抛光。本发明的双掺铌酸锂晶体光致色变响应时间短，并具有很高的非挥发存储灵敏度，比同类条件下铁锰双掺铌酸锂晶体提高1～2.5倍，是一种高灵敏度的非挥发全息存储材料，在信息存储、集成光学、军事对抗、民用导航和金融证券方面都有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1584131A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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