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公开(公告)号：CN118207621A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410165143.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种多腔室外延反应器，包括感应线圈、石英管和石墨加热件，感应线圈围设于所述石英管周侧；石墨加热件内具有一个及以上个反应腔，每个反应腔内设置一个托盘，托盘用于承载晶圆。本申请中石墨加热件呈哑铃形状，减小了加热石墨加热件的体积，石墨加热件各部分产生的热量得到充分地利用，减少了电能的消耗，有利于节约资源降低加热成本；石墨加热件的特殊结构结合旋转托盘，降低了片间和片内的温差，提高了温度分布的均匀性，促进外延层生长速率的均匀性、外延层厚度和掺杂浓度分布的均匀性，有利于提高外延层的质量；多个反应腔设置，提高了产能。
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公开(公告)号：CN116465912A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310175668.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
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公开(公告)号：CN115216842A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210724292.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
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公开(公告)号：CN217745104U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202221295742.8
申请日：2022-05-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型涉及一种手持式深紫外面光源消杀灯及消杀装置，装置呈手持条形扫描灯状，包含：采用均匀面光源设计的深紫外LED阵列，阵列上方嵌套铝反射组件；反射组件上方置有石英玻璃片，可有效保护装置免受污染；阵列基板下部紧贴水冷散热模块，水冷管道通过两个接口连接水冷箱作为散热器；装置外部封装呈条形灯状，包裹住内部LED阵列、反射组件与散热模块；LED阵列通过外接电源供电。本实用新型中的反射组件内置反射凹槽，对应于每一颗LED芯片，可改善深紫外LED的朗伯出光角度，得到近平行深紫外光。装置采用手持式设计，可在保证高效消杀的前提下提升便携性。
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