公开(公告)号：CN114904022A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210289553.8

申请日：2022-03-23

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 尹君 ,  黄家新 ,  康闻宇 ,  康俊勇

IPC: A61L2/10 ,  A61L2/26 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种大面积深紫外固态面光源及消杀装置，包含：水冷散热基板、大功率深紫外LED芯片阵列、嵌套在阵列上方的多孔状反射组件、覆盖在反射组件上方的石英窗片、驱动电源。其中多孔状反射组件的表面为铝材质，表面光滑；对应LED芯片的孔为喇叭状圆台形。本发明通过特定芯片阵列与优化倾角的圆台反射孔搭配，可实现对深紫外LED面阵朗伯出光角度的改善，获得光功率密度大、发散角小，辐照面无斑马纹现象、功率分布均匀的深紫外光束。光源所实现的低损耗、高均匀辐照光束特性，可满足细菌/病毒灭活所需的高光通量、高可靠性要求。

公开(公告)号：CN119546012A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411610705.5

申请日：2024-11-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: H10H20/854 ,  H10H20/853 ,  H10H20/855 ,  H10H20/85 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制备方法，其中封装结构包括：三维陶瓷基板，具有凹槽，所述的凹槽具有底部、内侧壁和上表面；深紫外LED芯片，安装在所述三维陶瓷基板的凹槽底部；氟树脂，填充在三维陶瓷基板的凹槽内，并且覆盖在所述的深紫外LED芯片的上表面和侧壁周围，所述的氟树脂为羧基化的氟树脂；光学透镜，安装在深紫外LED芯片和氟树脂之上，并且边缘固定于三维陶瓷基板的上表面上或者侧壁上。通过使用氟树脂和光学透镜来辅助实现光子的提取和汇聚，提升器件在紫外灭活等领域的应用效果，并通过氟树脂的粘附性，提升封装结构的可靠性，并同时提升出光效率和降低成本。

公开(公告)号：CN119243328A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411336816.1

申请日：2024-09-24

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 康闻宇 ,  姚隽祺 ,  康俊勇 ,  陈浩南

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请公开了一种4H‑SiC的P型重掺杂化学势调控的生长方法，包括：提供SiC衬底；对SiC衬底进行预处理；通入源气体，以在经过预处理后的SiC衬底的表面上生长P型重掺杂的4H‑SiC外延层；源气体包括：C源气体、Si源气体和P型掺杂源气体；在4H‑SiC外延层的生长过程中，从富C氛围开始生长4H‑SiC外延层，SiC衬底周期性的处于富C氛围和富Si氛围；富C氛围用于降低P型掺杂原子的吸附形成能，提升4H‑SiC外延层在SiC衬底表面的吸附强度；富Si氛围用于增强已吸附的P型掺杂原子与SiC晶体分子之间的成键能力，提高4H‑SiC外延层的生长速度。本申请可以实现外延层的快速均匀生长。

公开(公告)号：CN115216842B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210724292.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康闻宇 ,  檀鹏 ,  尹君 ,  康俊勇

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。

公开(公告)号：CN118955140A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410878072.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  李文翔 ,  姜伟 ,  康闻宇 ,  康俊勇

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

Abstract: 本申请提供了一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法，浆料为将碳化钽粉末、烧结助剂、粘接剂与有机溶剂按照一定质量分数混合，然后用球磨仪混合悬浊液，形成悬浮液；烧结方法为先将浆料均匀涂覆在石墨件表面，再对涂层进行干燥固化，最后将覆有涂层的石墨件进行烧结。本发明的目的在于以碳化钽粉末和烧结助剂为主体，通过优化的混合溶剂，调配出悬浮稳定性好、固含量高、流动性强、涂覆成膜质量高，涂层经烧结后不龟裂的高质量碳化钽涂层浆料。该方法调配出来的浆料与烧结工艺更加简单，且调配出来的浆料在后续烧结过程中不涉及化学反应，可以避免化学反应过程中副产物产生，制备出来的碳化钽涂层纯度更高、薄膜结晶致密平整。

公开(公告)号：CN117721527A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311461434.7

申请日：2023-11-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  张爱忠 ,  康闻宇 ,  康俊勇

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种外延反应器的调温装置及反应器，其调温机构中空，其内通有调温介质，调温机构包括输入通道、流体加热腔、调温腔、输出通道四部分，调温腔位于反应腔的下方，其长度等于或大于所述反应腔放置衬底的区域的长度。本发明还提供一种半导体外延反应器，所述反应器包括感应线圈、石英管、保温层、发热体、一个或多个反应腔，以及前面所述的调温机构。通过调温装置的作用，能够调节均衡衬底中心和衬底边缘的温度，从而使得衬底上生成的外延层边缘和中部的厚度和生成物质掺杂分布均匀，提高产品质量。并且能够调节多个基座之间的相对温度，以降低多个托盘间的温差，以确保多个衬底的温度分布均匀且一致，降低同批次产品的差异。

公开(公告)号：CN116864441A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310637668.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  张爱忠 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: H01L21/687

Abstract: 本申请公开了一种气浮基座及外延设备的反应室结构，包括固定基座和支承件，固定基座上形成有旋转槽，支承件可转动地设置在所述旋转槽中，支承件用于承载晶圆或晶圆托盘，支承件底部形成一个同心环状凹陷，环状凹陷内形成有沿圆周均匀分布的凸起，凸起呈V字型，以对驱动气体向支承件切线方向导流，限制驱动气体沿支承件半径方向的流动，减小驱动气体对支承件产生的沿半径方向的压力，从而增大驱动气体对支承件产生的沿切线方向的力，提高了驱动气体的利用率和驱动效率。驱动气体直接对凸起结构施加压力驱动支承件旋转，与只靠粘滞力驱动相比，大大提高了驱动力的大小，提高了支承件的转速。本发明还提供一种半导体外延设备。

公开(公告)号：CN119694461A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411767993.5

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  叶晓芳 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80 ,  G06T7/00 ,  G06V10/82 ,  G06V10/764 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种晶体切割方法、装置及存储介质，该方法包括：获取晶体内部的断层图像；基于所述断层图像，构建三维重构模型；采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷，得到缺陷类别；基于所述缺陷类别和所述三维重构模型，创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型；对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割，得到仿真预切割结果；基于所述仿真预切割结果，确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果，构建晶体的切割参数，从而能够更加高效的切割晶体，减少晶体耗材的浪费。

公开(公告)号：CN119560232A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411746990.3

申请日：2024-12-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姜伟 ,  吴雅苹 ,  尹君 ,  康闻宇 ,  康俊勇

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H10H20/833

Abstract: 本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用，涉及导电薄膜领域，以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层；通过金属薄层施加电压，使透明晶体金属薄层击穿，形成细线状导电通道；通过退火处理，使金属薄层中的金属原子扩散进入细丝状导电通道中，形成导电纤维；将剩下的金属薄层去除，形成透明电极膜。其中，基片为紫外LED、探测器或者太阳能电池的外延片；透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa（1‑x）N、Al2O3或者TiO2等，金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、或者Al。其兼具高导电性和高透明性，结构简单，易于大规模生产。作为紫外光电器件的关键部分，其能够提高器件的光电转换效率，可应用于柔性电子、透明智能器件等诸多领域。

公开(公告)号：CN118207621A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410165143.1

申请日：2024-02-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  张爱忠 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种多腔室外延反应器，包括感应线圈、石英管和石墨加热件，感应线圈围设于所述石英管周侧；石墨加热件内具有一个及以上个反应腔，每个反应腔内设置一个托盘，托盘用于承载晶圆。本申请中石墨加热件呈哑铃形状，减小了加热石墨加热件的体积，石墨加热件各部分产生的热量得到充分地利用，减少了电能的消耗，有利于节约资源降低加热成本；石墨加热件的特殊结构结合旋转托盘，降低了片间和片内的温差，提高了温度分布的均匀性，促进外延层生长速率的均匀性、外延层厚度和掺杂浓度分布的均匀性，有利于提高外延层的质量；多个反应腔设置，提高了产能。