-
公开(公告)号：CN117577516A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311477729.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氧化镁衬底生长掺镁氧化镓薄膜的方法，1)将氧化镁(100)衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子处理；2)将经氧等离子体处理后的氧化镁(100)衬底同步进行镓原子沉积和氧等离子体处理，生长氧化镓薄膜，其中，操作台温度为550～600℃。本发明选择氧化镁(100)衬底生长氧化镓薄膜，利用其不但与氧化镓材料晶体晶格常数较为匹配的特点，而且创造性地凭借氧化镁衬底中Mg原子在高温下十分活泼的特点，创新性地在氧化镁衬底上通过简单的工序在无外来Mg源的基础上，仅凭借衬底中Mg原子的扩散，制备得到了高晶体外延质量的掺Mg氧化镓，为氧化镓半导体材料的p型制备提供了可行性的方案。
-
公开(公告)号：CN114121596A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010873491.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。
-
公开(公告)号：CN105092630B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510385338.8
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 一种锂离子电池电极材料热导率的分析和分类方法，涉及锂离子电池。锂离子电池电极材料中锂离子浓度的变化从x＝0～1，0表示材料中没有锂离子，1表示电极材料是没有缺陷的电极材料，中间值表示处于两种状态之间，中间值越大，锂离子的浓度越大；锂离子浓度从0变化到Xim时，定义为结构类型I；从Xim变化到Xmp时，定义为结构类型II；从Xmp变化到1时，定义为结构类型III；在不同结构类型下，计算出材料在锂离子整个变化过程中相应的热导率；找出不同结构类型的交叉点Xim、Xmp，定义一个结合结构类型，取出相应锂离子浓度段所对应的热导率，获得锂离子电池电极材料在整个充放电过程中的热导率与x的关系。
-
公开(公告)号：CN105914190B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610289374.9
申请日：2016-05-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种实现材料热整流的热整流器件及其制备方法，涉及热整流器件。热整流器件由上方形薄膜、下方形薄膜组成，样品设在上下方形薄膜之间；上方形薄膜上设有2个方形孔，上方形薄膜的厚度小于0.1mm，2个方形孔的长度均不超过上方形薄膜的边长的1/3,不小于边长的1/4；2个方形孔的宽度均不超过上方形薄膜边长的1/7,不小于边长的1/9；两方形孔的中心距离上方形薄膜中心的距离为上方形薄膜边长的1/5；下方形薄膜的中心设有方形孔，方形孔的边长为下方形薄膜边长的1/5。将上下方形薄膜的材料切割出大小边长相同的方形片，在上方形薄膜上刻蚀两个方形孔，在下方形薄膜上刻蚀一个方形孔；将上下方形薄膜贴合于样品正反面。
-
公开(公告)号：CN105070819B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510385332.0
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种调控氧化物材料热导率的方法，涉及热电材料。(1)取一片氧化物功能材料，清洗后，测量其热导率；(2)将步骤(1)中的氧化物功能材料放入抗高压的反应腔里，往反应腔中滴入H2O，封闭反应腔；(3)将处于超临界状态的CO2通入反应腔中，待反应腔中的气压降到常温常压后把氧化物功能材料取出，测量超临界流体处理后的氧化物功能材料样品的热导率；(4)比较超临界流体处理前后氧化物功能材料热导率的变化，得到超临界流体有效调控氧化物功能材料热导率的结果。处理过程中，温度条件容易满足；时间短、效率高；并且不会对材料造成损伤。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928616A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410183050.8
申请日：2014-05-04
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/441 , H01L51/4213 , H01L2251/303
Abstract: 钙钛矿氧化物SrTiO3在有机太阳能电池中的应用，涉及一种有机太阳能电池。所述应用是将钙钛矿氧化物SrTiO3作为有机太阳能电池的阴极修饰层。由钙钛矿氧化物SrTiO3作为阴极修饰层制备的有机太阳能电池表现出稳定的光伏特性曲线。利用溶液法制备钛矿氧化物SrTiO3纳米颗粒，通过不同的温度退火，再在钛矿氧化物SrTiO3纳米颗粒层上漩涂有机太阳能电池的活性层，镀上电极成为一个完整的电池。避免了正置结构中酸性阳极修饰层PEDOT：PSS的使用，即避免了PEDOT:PSS/活性层界面缺陷对载流子的复合作用，对有机太阳能电池的稳定性有潜在增强作用。
-
公开(公告)号：CN117467973A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311459982.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流中沉积于ITO衬底上，生长类石墨相氮化碳薄膜，即完成具有氮空位缺陷的类石墨相氮化碳薄膜。采用化学气相沉积设备(CVD)在ITO衬底上制备了高质量具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜样品，通过将两种前驱体混合的工艺获得了具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜，可以用于日后的光催化制、电催化相关器件的制备，具有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性高，具有一定的经济价值。
-
公开(公告)号：CN117219496A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311225803.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/032
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长低粗糙度超宽禁带氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗蓝宝石衬底并用氮气吹干，然后转入分子束外延系统生长腔内，进行氧等离子体退火；(2)在步骤(1)完成后，进行镓原子沉积，生长氧化镓薄膜，即完成蓝宝石衬底生长氧化镓薄膜。本发明对蓝宝石衬底进行氧等离子体退火后直接生长氧化镓薄膜，使其具有较高的禁带宽度与较低的表面粗糙度。本发明可以应用于日盲区紫外光电探测器的制备，有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性好，具有一定的经济价值。
-
公开(公告)号：CN105742158B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610085270.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。
-
公开(公告)号：CN105084340B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510385325.0
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 一种生物材料制备热整流元器件的方法，涉及热整流元器件。将天然生物材料标记好正反面，放入退火炉，设定退火温度，对生物材料进行碳化处理，将碳化处理后的样品进行机械切割，观测其截面微观结构，测量所得样品由正面到反面方向和由反面到正面方向的热扩散系数，并计算出样品的热整流系数，即得热整流元器件。将天然生物形态的材料通过简单的退火处理，制备出了具有热整流效应的元器件，该方法广泛适用于密度不均匀的天然生物材料，不管从制备方法的难易程度，还是从成本的高低，均具有很大的优势；且更容易投入工业生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.016 seconds)
