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公开(公告)号：CN112928004A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110200668.0
申请日：2021-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
Abstract: 本公开提供了一种电热微镜驱动器失配矫正系统，包括：光源，光源用于向设置在光源正上方的电热微镜发出光线，电热微镜对来自光源的光线进行反射，形成反射光线；多个光电探测器均匀地设置在光源的周围，多个光电探测器分别对电热微镜形成的反射光线进行探测，生成多个电流信号；矫正电路同时接收多个电流信号，将多个电流信号转换为多个电压信号，获取多个电压信号中的最大值与最小值的差值，至少基于差值生成矫正电信号，矫正电信号能够被发送至电热微镜的至少一个驱动器，以对至少一个驱动器的驱动电压进行矫正。本公开还提供了一种电热微镜驱动器失配矫正方法。
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公开(公告)号：CN108088371B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711370854.9
申请日：2017-12-19
Applicant: 厦门大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 一种用于大位移监测的光电探测器位置布局，涉及光电探测器。所述用于大位移监测的光电探测器位置布局为：将两个正方形PD放在光源的同一侧，其边一侧靠近光源，光源被反射回来的光线照射在PD上。实现仅利用两个PD对物体位置的更大位移监控，输出的线性区间更大，可分段处理，为监测不同的位移范围提供便利；高分辨率，而且灵敏度相对更好，易于控制，结果处理简便、成本低，给流片加工带来极大方便；在处理外侧的PD对应的光强时，采用将其光强与内侧PD上的光强相比的方法，很大程度上降低照度对结果的影响；只需要模拟电路的设计便能实现多样的监测功能，输出数量少，不需要大规模的数字电路来处理阵列式的输出，节约芯片的面积。
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公开(公告)号：CN106549080A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710060994.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L31/02161
Abstract: 标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。
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公开(公告)号：CN101718897B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910112910.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法，提供一种与商业CMOS工艺兼容，可替代现有850nm光收发器中混合集成，可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器，前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底；P阱；N型重掺杂硅层、场氧层和铝层；三层SiO2绝缘介质层；Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上；将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接；盖上管帽，与适配器按同轴封装。
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公开(公告)号：CN101718897A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910112910.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法，提供一种与商业CMOS工艺兼容，可替代现有850nm光收发器中混合集成，可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器，前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底；P阱；N型重掺杂硅层、场氧层和铝层；三层SiO2绝缘介质层；Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上；将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接；盖上管帽，与适配器按同轴封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594054A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110565755.6
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本公开提供了一种具有位置监测功能的微镜系统，包括：微镜；芯片基底，芯片基底上形成有光源；至少一个驱动臂，至少一个驱动臂连接在微镜与芯片基底之间，以使得至少一个驱动臂能够被控制以对微镜进行驱动；以及光电探测器阵列，光电探测器阵列形成在微镜的背面，光电探测器阵列对光源射出的光线进行检测以对微镜的位置进行监测。
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公开(公告)号：CN111537571B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010310167.3
申请日：2020-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本公开提供了一种单片集成的石墨烯气体探测放大芯片，包括：石墨烯气体传感器，石墨烯气体传感器检测目标气体的浓度，并基于目标气体的浓度生成模拟电信号；以及电路模块，电路模块对石墨烯气体传感器生成的模拟电信号进行处理；其中，石墨烯气体传感器和电路模块设置在同一芯片上，石墨烯气体传感器包括第一石墨烯传感器以及第二石墨烯传感器，第一石墨烯传感器检测目标气体的浓度，第二石墨烯传感器不检测目标气体的浓度。
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公开(公告)号：CN107555395B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710807489.7
申请日：2017-09-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 光电位置传感芯片与电热微镜键合的一体化器件，涉及一体化微光机电器件。将光电位置传感芯片与电热微镜键合集成在一起。光电位置传感芯片设有光源、光发射驱动电路、四象限光电探测器和光接收放大电路、带隙基准和模/数转换器。根据电热微镜的底座尺寸，在光电位置传感芯片焊盘内侧与四象限光电探测器外侧之间布上一圈不与芯片内部电路相连的焊盘，并利用导电银漆将电热微镜键合到这一圈焊盘上，实现芯片与微镜一体化。实现带有位置传感器的可闭环控制的电热微镜系统的微型化，使体积大幅度降低，并提高了系统的集成度、抗干扰能力，充分利用光电位置传感芯片易集成、高线性度、敏感性强等一系列优势，可大范围内精确监测电热微镜的位置变化。
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公开(公告)号：CN107555395A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710807489.7
申请日：2017-09-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 光电位置传感芯片与电热微镜键合的一体化器件，涉及一体化微光机电器件。将光电位置传感芯片与电热微镜键合集成在一起。光电位置传感芯片设有光源、光发射驱动电路、四象限光电探测器和光接收放大电路、带隙基准和模/数转换器。根据电热微镜的底座尺寸，在光电位置传感芯片焊盘内侧与四象限光电探测器外侧之间布上一圈不与芯片内部电路相连的焊盘，并利用导电银漆将电热微镜键合到这一圈焊盘上，实现芯片与微镜一体化。实现带有位置传感器的可闭环控制的电热微镜系统的微型化，使体积大幅度降低，并提高了系统的集成度、抗干扰能力，充分利用光电位置传感芯片易集成、高线性度、敏感性强等一系列优势，可大范围内精确监测电热微镜的位置变化。
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公开(公告)号：CN105021328A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510408223.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
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