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公开(公告)号：CN110518254A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910857632.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/66 , H01M10/052 , H01M6/00
Abstract: 本发明公开了一种锂金属电池用负极集流体及其制备方法及应用，本发明通过磷气对导电集流体表面进行修饰处理得到金属磷化物层，通过电化学过程对所得的金属磷化物预锂化，得到复合亲锂层从而得到以导电集流体为基底并覆有复合亲锂层的锂金属电池用负极集流体。本发明制得的锂金属用负极集流体可诱导锂金属电池中锂离子的均匀沉积或溶出，从而有效地抑制锂金属电池中锂枝晶或“死锂”的形成，提升了锂金属电池的库伦效率、循环寿命和安全稳定性。相比于其他方法，本发明降低了锂金属电池的生产成本，推动了锂金属电池商业化的发展。
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公开(公告)号：CN105021328B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510408223.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
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公开(公告)号：CN103972247B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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公开(公告)号：CN113634574A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110834737.3
申请日：2021-07-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种通风橱，包括：柜体；设置在所述柜体上的门体；驱动组件，用于控制所述门体的开闭；气体感应组件，包含设置在柜体内的第一气体传感器与设置在柜体外的第二气体传感器；风机，设置在所述柜体内部；处理器，用于获取所述第一气体传感器感应的第一气体浓度以及所述第二气体传感器感应的第二气体浓度，并进一步用于当所述第一气体浓度大于所述第二气体浓度时，控制所述驱动组件驱动所述门体关闭以及控制所述风机开启，本设备能够实时监测通风橱内外的气体，主动对通风橱内部的气体进行分析，并主动通过排风保持通风橱内部空气的质量，在排风时主动检查并闭合门体，以增强实验人员在实验过程中的安全系数。
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公开(公告)号：CN105021328A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510408223.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104730654A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134514.0
申请日：2015-03-26
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4286 , G02B6/4246 , G02B6/4251
Abstract: 一种用于塑料光纤通信光收发芯片封装结构，涉及光电子器件。设有基座、4根管脚、基盖和球透镜；所述基座呈正方形，基座上表面设有圆形沉孔，圆形沉孔用于放置芯片，基座表面上设有4条管脚沉槽；4根管脚分别安装在4条管脚沉槽中；所述基盖呈正方形，基盖的几何中心设有沉孔；球透镜4插入沉孔并与基座和基盖装配成一体。同时适用于塑料光纤通信用的光电集成接收和发射芯片，在不增加封装总体积的前提下增大了外围焊区的面积，简化了芯片的接线工作，提高了塑料光纤传输系统的光耦合效率，简化现有封装时接线存在的一些问题，调整了底座与透镜卡槽之间的距离，同时增加了外围焊区的面积，实现了高效率的光耦合和接线工作。
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公开(公告)号：CN113394456B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110656814.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0566 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种锂金属电池电解液添加剂，含有该锂金属电池电解液添加剂的电解液，采用该电解液制备锂金属电池的方法及锂金属电池；所述锂金属电池电解液添加剂的化学成分为脒基硫脲及其衍生物。该锂金属电池电解液添加剂能有效地解决锂金属电池循环过程中锂枝晶及“死锂”的问题。
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公开(公告)号：CN105004419B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510278265.2
申请日：2015-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 应用于智能家居的光电传感集成芯片，涉及光电传感器。设有第1路硅基光电探测器、第1路互阻前置放大器、第1路直流负反馈电路、第2路硅基光电探测器、第2路互阻前置放大器、第2路直流负反馈电路、限幅放大器、输出缓冲电路；第1路硅基光电探测器输出端接第1路互阻前置放大器输入端，第1路互阻前置放大器输出端接限幅放大器的第1差分输入端，第2路硅基光电探测器输出端接第2路互阻前置放大器输入端，第2路互阻前置放大器输出端接限幅放大器的第2差分输入端，限幅放大器输出端接输出缓冲电路输入端，输出缓冲电路输出端接外部电路；限幅放大器输出端分别通过第1路直流负反馈电路和第2路直流负反馈电路接限幅放大器的2个差分输入端。
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公开(公告)号：CN105004419A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510278265.2
申请日：2015-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 应用于智能家居的光电传感集成芯片，涉及光电传感器。设有第1路硅基光电探测器、第1路互阻前置放大器、第1路直流负反馈电路、第2路硅基光电探测器、第2路互阻前置放大器、第2路直流负反馈电路、限幅放大器、输出缓冲电路；第1路硅基光电探测器输出端接第1路互阻前置放大器输入端，第1路互阻前置放大器输出端接限幅放大器的第1差分输入端，第2路硅基光电探测器输出端接第2路互阻前置放大器输入端，第2路互阻前置放大器输出端接限幅放大器的第2差分输入端，限幅放大器输出端接输出缓冲电路输入端，输出缓冲电路输出端接外部电路；限幅放大器输出端分别通过第1路直流负反馈电路和第2路直流负反馈电路接限幅放大器的2个差分输入端。
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公开(公告)号：CN103972247A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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