公开(公告)号：CN106468015A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610843658.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊

IPC: D06M11/83 ,  D06M15/07 ,  D06M15/09 ,  D06M15/643 ,  D06M11/79 ,  D06M15/693 ,  B22F9/24 ,  B22F1/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  D06M101/06 ,  D06M101/10 ,  D06M101/16

CPC classification number: D06M11/83 ,  B22F1/025 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  D06M11/79 ,  D06M15/07 ,  D06M15/09 ,  D06M15/643 ,  D06M15/693 ,  D06M2101/06 ,  D06M2101/10 ,  D06M2101/16 ,  D06M2200/50

Abstract: 一种彩色轻质导电纺织线的制作方法，涉及纺织品的加工。包括以下步骤：1)合成铜纳米线；2)制备铜银核壳结构纳米线；3)将步骤2)得到的铜银核壳结构纳米线与纤维素混合溶剂混合，得导电处理液，具体方法如下：将纤维素溶于乙酸乙酯和乙醇混合液中，再加入步骤2)得到的铜银核壳结构纳米线，振荡后即得导电处理液；4)纺织品经导电处理液浸泡后，提取、静置、干燥，得导电纺织线；5)重复步骤4)以增加纺织线的电导率；6)将导电纺织线包裹透明硅胶膜，得彩色轻质导电纺织线。可将各种纺织物制作为导电材料，且保持其本身的颜色、柔韧性、可洗涤性，制作方法简便，无需加热、化学处理。

公开(公告)号：CN104078164B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201410327046.4

申请日：2014-07-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  徐红梅 ,  吴雅萍 ,  林娜 ,  郭惠章

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04

Abstract: 一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法，涉及金属透明薄膜电极的制备。提供可有效改善Cu纳米丝电极的抗氧化性和光电特性的一种石墨烯碳膜包裹的铜纳米丝网络的制备方法。制作Cu纳米丝薄膜电极；在Cu箔上低温生长石墨烯；调控Cu纳米丝的真空熔点；在Cu纳米丝网络上包裹石墨烯碳膜。采用铜箔胶囊将样品密封，利用磁力杆严格控制样品的固化时间和反应时间的方法，可使得Cu纳米丝在中高温度下保持形貌稳定，并完成包裹石墨烯碳膜后的迅速降温退火处理，使得石墨烯碳膜得以在有效时间内均匀包裹在Cu纳米丝的整个侧壁表面，形成同轴型的包裹结构。

公开(公告)号：CN118741987A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410277591.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王轶蒙 ,  杨仕铌 ,  邱鸿伟 ,  许飞雅 ,  陈小红 ,  李书平

IPC: H05K9/00

Abstract: 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。

公开(公告)号：CN116752117A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310635975.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  杨谦益 ,  沈鹏 ,  余路成 ,  许飞雅 ,  陈小红

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。

公开(公告)号：CN116685192A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310677339.4

申请日：2023-06-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  邱鸿伟 ,  杨仕铌 ,  陈瀚 ,  沈鹏 ,  王轶蒙 ,  陈小红 ,  许飞雅

IPC: H10N70/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及忆阻器制备技术领域，特别涉及一种铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器，步骤如下：在二氧化硅晶片衬底表面制备叉指电极；将铜纳米线转移至制备了叉指电极的二氧化硅晶片衬底表面上；将二氧化硅晶片衬底及负载的二氧化硅晶片与铜纳米线整体进行退火处理；退火完成后通入的O2气体进行原位快速氧化，即完成制备。本发明提供的铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器为平行结构，介质层位于左电极、右电极之间，相较于垂直结构的常规忆阻器，制备工艺简单,可以一次性制备任意规模的器件。同时，铜纳米线合成之后再经由转移工艺转移到衬底上，使得器件的密度更为可控，最终质量及性能更好，能够应用与未来的大规模存储阵列集成。

公开(公告)号：CN113178504B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110261170.5

申请日：2021-03-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  郭斌 ,  刘国振 ,  蔡叶杭 ,  陈小红

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H04B10/116

Abstract: 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/InGaN多量子阱；该器件具有白光发射通道和不可见光探测通道，白光发射通道具有照明及下行信号调制发射功能，不可见光探测通道具有上行调整信号接收功能，两通道可在单芯片上进行光的独立平行传输，并且实现上行电信号的接收和下行电信号的发送。本发明还提供了一种全双工可见光无线通信系统。本发明实现了Li‑Fi功能的单芯片集成，具有巨大的应用价值。

公开(公告)号：CN113838945A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111074450.1

申请日：2021-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  刘国振 ,  郭斌 ,  沈鹏 ,  蔡叶杭 ,  郑同场 ,  许飞雅

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法，本发明提出的具有窄带光谱响应的光电探测器基于半导体激子源层材料中的激子效应，光电探测器中的半导体激子源层与两个独立的电极中至少有一个存在界面势垒，从而形成界面激子限制层，界面激子限制层使得半导体激子源层中的激子可以在室温下稳定存在，最后在内部电场或者外部电场的驱动下形成光电流。本发明结构简单，不受器件的具体结构干扰，调控电极与半导体激子源层之间的界面势垒，在外部电场下，短寿命的非激子粒子复合，长寿命的具有固定能量的激子分离形成电信号，可提升光电探测器的光谱响应精度。

公开(公告)号：CN113380603A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110541046.4

申请日：2021-05-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  张宏烨 ,  卢诗强 ,  沈鹏

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体及其制备方法。该方法为低压化学气相沉积方法，设置级联式递进三温区结构，并于中段梯度温区进行加速混晶分子的气相预替位，实现高效可控二维混晶。本发明制备的高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体表面平整性好，用于器件结构中的层间匹配度高，混合晶体中的硼组分高；可作为优良衬底用于制备高质量InAlGaN等多元氮化物半导体，制备性能优良的中子探测器、深紫外LED、深紫外探测器；可广泛应用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空气净化、紫外医疗、紫外水净化、紫外光解油烟等领域。

公开(公告)号：CN113354026A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110553313.X

申请日：2021-05-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  张峻川 ,  王旭东

IPC: C02F1/32

Abstract: 本发明为一种非对称内嵌阻流阀结构，采用在流动水腔体内，内嵌非对称的阻流阀结构，通过对流体流线的回阻、湍流、封闭等控制，可有效达到整体降低腔体内流体流速、局部限制水体停留时间、出口加速等作用，并可实现深紫外高效流动水消杀器应用。实现了进出口流速较高的前提下，结构腔体内具有局部减速阻流，出口增速复流的功能。实施应用于深紫外LED高效消毒杀菌器的设计中，有效获得中低功率LED及可以实现较高的杀菌效率的效果，大肠杆菌和金黄色葡萄球菌杀菌率均超过99.99％，流量可大于6L/min。该发明在流体管道、阻流阀、过流式深紫外消毒器、饮用水实时消杀器等人民大健康相关领域具有巨大应用前景。

公开(公告)号：CN112098481B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202010864102.3

申请日：2018-03-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  卢诗强 ,  李俊冀 ,  李书平

IPC: G01N27/28 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。