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公开(公告)号：CN118841369A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410817519.2
申请日：2024-06-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/06
Abstract: 本发明属于半导体制作技术领域，具体公开了一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法，具体包括以下步骤：采用原子层沉积技术在衬底材料表面以及通孔沉积绝缘层；采用原子层沉积技术在绝缘层上沉积阻挡层，阻挡层为TiN、Ru中的一种或两种；采用原子层沉积技术在阻挡层上沉积种子层；在沉积的种子层上电镀铜。本发明采用ALD铜钟子层沉积技术，可以在不同衬底沉积铜种子层，并采用常见的酸性硫酸铜体系电镀药液，兼容性较好，打通了超高深宽比TSV无缺陷填实的工艺路线，有利于先进封装超高密度互连。
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