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公开(公告)号：CN118727075A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410828396.2
申请日：2024-06-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于先进封装技术领域，具体公开了一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液和电镀工艺，其中电镀液包括基础镀液和复合添加剂，所述基础镀液包括硫酸铜100‑300g/L、硫酸10‑100g/L、氯离子10‑200ppm，所述复合添加剂包括光亮剂、抑制剂、整平剂，所述光亮剂、抑制剂、整平剂的质量比为1‑100：0.1‑10：1‑20，所述基础镀液和添加剂的体积比为1000:0.5‑2。本发明在使用条件范围内，有效抑制表面的铜生长，促进孔底部铜离子的还原，实现高深宽比TSV的无缝填充；采用酸性硫酸铜体系，工艺简单，采用传统的三添加剂体系，有利于药液维护，适用于现有的晶圆级电镀设备。
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公开(公告)号：CN116657202A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310606505.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于封装转接板工艺技术领域，具体公开了一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液，其中用于高深宽比硅通孔填实的方法包括沉积Ru催化层：通过原子层沉积技术在样品表面沉积Ru催化层；化学镀铜种子层：将处理后的样品清洗后进行化学镀铜；电镀铜填充：对处理后的样品进行电镀，电镀结束后用水冲洗，吹干，制作切片。本发明的方法开发出可以实现在高深宽比硅盲孔形成致密铜钟子层的化镀铜配方以及无缺陷铜填实的电镀铜配方。
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公开(公告)号：CN116613081A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310709652.1
申请日：2023-06-15
Applicant: 厦门大学 , 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；(3)对凸块连接结构进行脱水处理；(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119275102A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411371356.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低成本金刚石拼接晶圆级散热器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：对金刚石片进行表面预处理；在硅晶圆片上旋涂光刻胶；将表面预处理后的金刚石片按一定间距的阵列转移至表面旋涂光刻胶的硅晶圆片上；通过PVD依次在表面包含阵列排列的金刚石片的硅晶圆片上生长过渡层和电镀种子层；在电镀种子层表面电镀铜，呈阵列排列的金刚石片之间的空隙被完全填充；将电镀铜填充处理后的晶圆片表面进行磨抛处理；通过有机溶剂将金刚石下表面的光刻胶溶解掉。本发明通过电镀拼接的方式，将金刚石小片拼接成晶圆，成本远远小于制作同等大小的晶圆级金刚石。
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公开(公告)号：CN117038469A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311034375.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的扇出封装结构和晶圆级制备工艺，该工艺包括以下步骤：1)将多个待封装芯片焊盘面一侧临时键合于临时载板；2)在临时载板上的芯片背面和金刚石表面分别制备金属层，对准后通过金属层实现热压键合；3)进行塑封，并将塑封层减薄至金刚石露出；4)去除芯片焊盘面的临时载板，在金刚石一侧临时键合另一临时载板；5)于芯片焊盘面一侧制作重布线层和外接结构；6)去除金刚石一侧的临时载板，并切割划片；7)在金刚石一侧依次形成热界面材料层和散热器。本发明通过热压键合技术实现了金刚石作为芯片散热衬底的应用，提高了器件的散热性能；同时通过扇出封装结构实现更薄的封装尺寸和更低的热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118629976A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410776271.X
申请日：2024-06-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的多芯片集成散热结构及其封装方法，其是将多个芯片通过中介层键合于金刚石晶圆上，于金刚石晶圆上对芯片进行塑封以及重布线，然后再切割封装晶圆形成多芯片封装单元，每一多芯片封装单元包括若干芯片；于多芯片封装单元的金刚石表面依次形成热界面材料层和散热器，得到基于金刚石衬底的多芯片集成散热结构。本发明在金刚石晶圆上直接进行晶圆级封装加工，提高了产品的可靠性和良率，提高了生产效率，可以更灵活地优化芯片布局和互连方式，提高整体性能，具有更好的散热效果，在大功率芯片应用中有着非常广阔的应用前景和发展潜力。
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公开(公告)号：CN118538492A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410687893.5
申请日：2024-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺具体公开了一种射频大功率通孔型金刚石电阻器的制造工艺，包括如下步骤：制作通孔、制作金属电极：通过PVD物理气相沉积先在制得的含有通孔的金刚石通孔内镀种子层，再通过电镀将通孔填实作为金属电极；去除金刚石表面因通孔内镀种子层引入的面铜；镀环状电极层；镀电阻膜层。本发明提出一种新型的通孔型片式金刚石薄膜电阻器，通过金刚石基片通孔电镀的方式避免了外引电极，大大延长器件寿命，易于与其他器件集成；同时可在后续加工使用中通过键合等方式与其他产品直接应用于三维封装里。
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公开(公告)号：CN117934405A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410074632.6
申请日：2024-01-18
Applicant: 漳州立达信光电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明提供一种产品缺陷检测方法、检测终端及存储介质。该方法包括将产品图像输入第一重构网络，得到第一重构图像；并将产品图像输入第二重构网络，得到第二重构图像；计算第一重构图像和第二重构图像的第一差分图像，并基于第一差分图像确定产品图像是否为缺陷嫌疑图像；若是，则根据缺陷嫌疑图像确定检测结果；若否，则检测结果为无缺陷；其中，第一重构网络由无缺陷样本图像训练得到；第二重构网络由有缺陷样本图像训练得到。本发明中第一重构网络从产品图像中提取正常样本所具有的特征，第二重构网络从产品图像中提取缺陷图像的特征，进而根据二者的差异确定是否为缺陷嫌疑图像，完成初步判断，有效提高了检测的精度。
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公开(公告)号：CN117265611A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311192457.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于封装技术领域，具体公开了一种用于先进封装互连高深宽比硅通孔电镀方法及电镀液，其中电镀方法包括如下步骤：种子层沉积、Plasma处理、电镀铜填充；本发明的电镀液包括硫酸、硫酸铜、氯离子、光亮剂、抑制剂、整平剂。本发明能在直流/脉冲电源和垂直电镀技术下实现超高深宽比硅通孔自下往上和超保型填充，铜填充能力佳，且使用范围广，适应性强。
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公开(公告)号：CN116759320A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310930216.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法。本发明提供一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法，包括以下步骤：对凸块互连结构进行表面预处理以去除其表面的污渍；将完成表面预处理的凸块互连结构进行氩气等离子体处理；将完成氩气等离子体处理的凸块互连结构进行低温等离子体处理以在所述底切结构的表面形成钝化膜，所述低温等离子体处理的温度范围为25‑300℃。本发明提供的方法能够有效地改善凸块互连结构在恶劣环境下的湿热可靠性。
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