公开(公告)号：CN112531031A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010542982.2

申请日：2020-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  张添舜 ,  聂俊峰 ,  张惠政

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/762 ,  H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及半导体装置。提供的鳍状场效晶体管装置包括通道区，其包含成分元素与多余原子，且成分元素属于元素周期表的一族，其中多余原子为氮或属于元素周期表的该族，以及通道区中的多余原子浓度介于约1019cm‑3至约1020cm‑3之间。

公开(公告)号：CN108122776A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710968319.7

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  聂俊峰 ,  张惠政 ,  张添舜 ,  简薇庭 ,  曹志彬 ,  李后儒

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了一种FinFET器件及形成FinFET器件的方法。该方法包括在鳍上方且沿着鳍的侧壁沉积伪栅极，该鳍从半导体衬底向上延伸，沿着伪栅极的侧壁形成第一栅极间隔件，以及用碳等离子体掺杂第一栅极间隔件以形成碳掺杂的栅极间隔件。该方法还包括形成与鳍的沟道区相邻的源极/漏极区，并且将碳从碳掺杂的栅极间隔件扩散到鳍的第一区域中以提供第一碳掺杂区。第一碳掺杂区设置在源极/漏极区的至少部分和鳍的沟道区之间。