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公开(公告)号：CN113725058A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110733577.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265
Abstract: 本公开涉及一种半导体制造设备。离子低温布植制程的实施例使用布植后加热载台，以在低温布植期间在高真空下加热被布植的晶圆。接着将被布植的晶圆转移至装载锁定室，其具有比高真空较低的真空度。
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公开(公告)号：CN112086359A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010528987.X
申请日：2020-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法。在一半导体基底上形成一虚置栅极。在此半导体基底的上方形成一层间介电质。注入一掺杂物于此层间介电质中。移除前述虚置栅极，并对前述层间介电质进行退火。所述注入与所述退火可以通过减少栅极介电质的厚度而致使通道阻值达到改善，以及可扩大金属栅极的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN113270370A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010894439.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及双掺杂源极/漏极区域及其形成方法。一种方法包括：在半导体鳍中形成源极/漏极区域；在形成所述源极/漏极区域之后，将第一杂质注入所述源极/漏极区域；以及在注入所述第一杂质之后，将第二杂质注入所述源极/漏极区域。所述第一杂质具有比所述第二杂质更低的生成焓。所述方法还包括：在注入所述第二杂质之后，对所述源极/漏极区域进行退火。
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公开(公告)号：CN110277309A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811480549.X
申请日：2018-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/768
Abstract: 此处所述的实施例一般关于在半导体制程中，用于图案化结构的遮罩其形成方法。在一实施例中，形成介电层于基板上。形成遮罩于介电层上。形成遮罩的步骤包括沉积第一层于介电层上；在第一布植制程中以第一能量将掺质物种布植穿过图案化材料至第一层中；在第一布植制程之后，在第二布植制程中以第二能量将掺质物种布植穿过图案化材料至第一层中，且第二能量大于第一能量；以及形成遮罩的遮罩部分，包括选择性移除第一层其未布植掺质物种的部分。
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公开(公告)号：CN113270370B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202010894439.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及双掺杂源极/漏极区域及其形成方法。一种方法包括：在半导体鳍中形成源极/漏极区域；在形成所述源极/漏极区域之后，将第一杂质注入所述源极/漏极区域；以及在注入所述第一杂质之后，将第二杂质注入所述源极/漏极区域。所述第一杂质具有比所述第二杂质更低的生成焓。所述方法还包括：在注入所述第二杂质之后，对所述源极/漏极区域进行退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737966A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410450948.0
申请日：2024-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，制造方法包含以下步骤：在一基板上方形成一鳍形结构，该鳍形结构包含一第一通道层、一牺牲层及一第二通道层；跨该鳍形结构形成一虚设栅极结构；使该鳍形结构凹进；在该第一通道层的相对侧上磊晶生长第一源极/漏极磊晶结构；形成第一介电层以分别覆盖所述多个第一源极/漏极磊晶结构；在该第二通道层的相对侧上磊晶生长第二源极/漏极磊晶结构；移除该虚设栅极结构及该牺牲层以在所述多个第一源极/漏极磊晶结构之间及所述多个第二源极/漏极磊晶结构之间形成一栅极沟槽；及在该栅极沟槽中形成一金属栅极结构。所述多个第二源极/漏极磊晶结构分别位于所述多个第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN118039696A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410084796.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：第一半导体纳米结构；与第一半导体纳米结构相邻的第二半导体纳米结构；位于第一半导体纳米结构的第一侧壁上的第一源极/漏极区域；位于第二半导体纳米结构的第二侧壁上的第二源极/漏极区域，第二源极/漏极区域与第一源极/漏极区域完全分隔开；以及位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116264163A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310075111.8
申请日：2023-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括：在一基板的一第一区上方形成一第一虚设栅极结构且在该基板的一第二区上方形成一第二虚设栅极结构，该基板的该第一区及该第二区具有一第一复合物，该第一复合物具有一第一蚀刻速度；侧向相邻于该第一虚设栅极结构通过掺杂剂对该基板的该第一区进行布植，其中在该对该第一区进行布植之后，该第一区具有一第二复合物，该第二复合物具有一第二蚀刻速度，该第二蚀刻速度不同于该第一蚀刻速度；在该基板的具有该第二复合物的该第一区中蚀刻一第一凹部，及在具有该第一复合物的该第二区中蚀刻一第二凹部；及在该第一凹部中磊晶生长一第一源极/漏极区及在该第二凹部中磊晶生长一第二源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN115376901A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210705247.8
申请日：2022-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
Abstract: 一种半导体制造方法，包括：沿着平移路径相对于离子束移动多个感测器；获取由感测器所产生的感测器信号；将所获取的感测器信号转换成代表离子束的二维轮廓的数据集；从数据集产生离子束的多个第一一维轮廓；通过将离子束的第一一维轮廓中的每一者空间反转来产生离子束的多个第二一维轮廓；通过将第一一维轮廓中的每一者的第一电流密度值与第二一维轮廓中的对应一者的第二电流密度值迭加来产生离子束的多个第三一维轮廓；以及根据第三一维轮廓，决定是否继续使用离子束对晶圆进行植入制程。
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公开(公告)号：CN108122776B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201710968319.7
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供了一种FinFET器件及形成FinFET器件的方法。该方法包括在鳍上方且沿着鳍的侧壁沉积伪栅极，该鳍从半导体衬底向上延伸，沿着伪栅极的侧壁形成第一栅极间隔件，以及用碳等离子体掺杂第一栅极间隔件以形成碳掺杂的栅极间隔件。该方法还包括形成与鳍的沟道区相邻的源极/漏极区，并且将碳从碳掺杂的栅极间隔件扩散到鳍的第一区域中以提供第一碳掺杂区。第一碳掺杂区设置在源极/漏极区的至少部分和鳍的沟道区之间。
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