公开(公告)号：CN109331343A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811284502.6

申请日：2018-10-31

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  陈啸天 ,  刘云飞 ,  普热梅斯瓦夫·达塔 ,  陈平 ,  丁韬 ,  吴丹

IPC: A61N5/06

Abstract: 本发明公开了一种新型的面发光光源治疗贴，属于电子科学技术领域，包括柔性电致发光单元及医用薄膜，柔性电致发光单元内嵌于医用薄膜的中间，所述的柔性电致发光单元由下到上依次为阳极、有机发光层、反光电极及金属阴极，所述绝缘层生长于阳极和金属阴极之间、与有机发光层及反光电极平行设置。本发明结合薄膜电致发光技术，依靠有机电致发光单元对伤口进行光疗，该治疗贴无药物使用，并能实现局部区域到大面积伤口的光疗；而且治疗贴内嵌的发光单元采用复数紫光与红光发射OLED组成阵列，既能加速伤口的愈合，还添加了紫外线杀菌的功效，避免伤口在恢复过程中感染细菌；整体结构采用柔性材料，该治疗贴很好的贴合皮肤表面，避免造成光污染等问题。

公开(公告)号：CN108258142A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810028874.6

申请日：2018-01-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  王浩然 ,  许湘晨 ,  陈平 ,  赵毅

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45523 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 一种基于分子层沉积技术制备超薄金属电极的方法，属于光电子器件技术领域。是将衬底在反应腔加热到100～300℃并保持稳定；抽真空后通入载气，使腔体气压稳定在0.1～0.3Torr；然后向反应腔内通入0.02～20s前驱体1，通入5～150s载气将多余前驱体1与副产物排出；再通入0.02～20s前驱体2，通入5～150s载气将多余前驱体2与副产物排出；重复以上步骤多次，从而在衬底表面得到厚度为10～100nm的表面存在大量规则化学键的种子层；再在种子层上热蒸发沉积5～10nm的超薄金属，从而制备得到超薄金属电极。在同样的厚度下，本发明方法沉积出来的超薄电极更快成膜，缺陷更少，光学特性和电学特性更好。

公开(公告)号：CN103094479B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310055950.X

申请日：2013-02-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  杨丹 ,  陈平 ,  杨永强 ,  臧春亮 ,  谢月

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等，采用双层构架形式，基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯，胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，因此前驱体材料无法从空隙中渗透，作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用，且能使器件经受住ALD封装温度。

公开(公告)号：CN103834188B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201410066515.1

申请日：2014-02-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  杨丹 ,  陈平

IPC: C08L101/00 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  C08J3/28 ,  H01L51/00

CPC classification number: Y02P20/582

Abstract: 光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底及用于制备有机电子器件，属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种柔韧度可调节的光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶制备的有机电子器件的柔性衬底，该柔性衬底具备更加柔韧的弯曲性能，且阻隔水汽和氧气向有机电子器件的渗透能力更加优异。是将光交联聚合物和有机硅氧烷以质量比100：1～70：1的比例混合在一起制备得到光交联聚合物-聚硅氧烷混合胶；混合胶离心后静止30～50min，然后利用旋涂方法在清洁的Si片上制备得到一层平整的混合胶涂层，厚度为80～3000μm；最后在紫外灯下固化后剥离，从而得到光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底。

公开(公告)号：CN103834188A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410066515.1

申请日：2014-02-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  杨丹 ,  陈平

IPC: C08L101/00 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  C08J3/28 ,  H01L51/00

CPC classification number: Y02P20/582

Abstract: 光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底及用于制备有机电子器件，属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种柔韧度可调节的光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶制备的有机电子器件的柔性衬底，该柔性衬底具备更加柔韧的弯曲性能，且阻隔水汽和氧气向有机电子器件的渗透能力更加优异。是将光交联聚合物和有机硅氧烷以质量比100∶1～70∶1的比例混合在一起制备得到光交联聚合物-聚硅氧烷混合胶；混合胶离心后静止30～50min，然后利用旋涂方法在清洁的Si片上制备得到一层平整的混合胶涂层，厚度为80～3000μm；最后在紫外灯下固化后剥离，从而得到光交联聚合物-有机硅氧烷混合胶柔性衬底。

公开(公告)号：CN118678850A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310269486.8

申请日：2023-03-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  贺晨阳 ,  刘浩

IPC: H10K71/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/82 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C14/24 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供的制备方法为自下而上依次制备导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及顶部电极层，其中顶部电极包括第一氧化锌薄膜、金属银薄膜电极以及第二氧化锌薄膜，第一氧化锌薄膜和第二氧化锌薄膜采用原子层沉积方式制备。本发明利用上下两层原子层沉积方式制备的致密的氧化锌薄膜修饰带有超薄银电极的半透明钙钛矿太阳能电池器件，能够在增大可见光透过率的同时提高器件效率，同时提升器件的环境稳定性，明显增大器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN114859613B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210086127.4

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  朱学昊 ,  姜欣 ,  袁梦

IPC: G02F1/1516 ,  G02F1/1514 ,  G02F1/15

Abstract: 本发明提供一种液态电解质及其制备方法、电致变色器件及其制备方法，其中的电致变色器件从上到下依次包括：第一衬底、第一电极层、封装垫片、第二电极层和第二衬底；封装垫片为中空的环形结构；第一电极层、封装垫片和第二电极层形成密闭的电解质腔；电解质腔内注有液态电解质；在第一电极层和第二电极层上施加电压后，电致变色器件由透明透光态变为深色阻光态，再从深色阻光态变为镜面反光态。本发明通过改变溶剂的材料或者引入添加剂的方式来对其进行改性，使得本发明能够在低温的情况下依旧能够正常工作。

公开(公告)号：CN114859613A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210086127.4

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  朱学昊 ,  姜欣 ,  袁梦

IPC: G02F1/1516 ,  G02F1/1514 ,  G02F1/15

Abstract: 本发明提供一种液态电解质及其制备方法、电致变色器件及其制备方法，其中的电致变色器件从上到下依次包括：第一衬底、第一电极层、封装垫片、第二电极层和第二衬底；封装垫片为中空的环形结构；第一电极层、封装垫片和第二电极层形成密闭的电解质腔；电解质腔内注有液态电解质；在第一电极层和第二电极层上施加电压后，电致变色器件由透明透光态变为深色阻光态，再从深色阻光态变为镜面反光态。本发明通过改变溶剂的材料或者引入添加剂的方式来对其进行改性，使得本发明能够在低温的情况下依旧能够正常工作。

公开(公告)号：CN113363394B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110614427.0

申请日：2021-06-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  王锦涛 ,  陈啸天 ,  周伊斌 ,  贺晨阳

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电池制备方法，包括制备空穴传输层，制备空穴传输层包括以下步骤：S1、分别配置Li‑TFSI溶液、Spiro‑OMeTAD溶液和具有氧化性的无机钠盐或钾盐溶液，混合后得到空穴传输层前驱体溶液；S2、将空穴传输层前驱体溶液涂覆在钙钛矿功能层上，制备得到空穴传输层。本发明引入具有氧化性的无机钠盐或钾盐对Spiro‑OMeTAD进行氧化，在制备空穴传输层之前就完成氧化过程。本发明的钠离子和钾离子在钙钛矿太阳能电池工作时会迁移到钙钛矿层中，提升钙钛矿太阳能电池的性能。

公开(公告)号：CN113948645A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111202539.1

申请日：2021-10-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  王锦涛 ,  王振宇 ,  周伊斌

IPC: H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电池制备方法，包括以下步骤：S1、制备逐步释放缺陷钝化剂的缓释剂；S2、制备前驱体溶液，在制备过程中加入缓释剂；S3、在衬底的表面使用前驱体溶液制备得到钙钛矿薄膜；S4、在钙钛矿薄膜的表面制备空穴传输‑电子阻挡层和电子传输‑空穴阻挡层；S5、在空穴传输‑电子阻挡层和电子传输‑空穴阻挡层的表面制备电极。本发明将缺陷钝化剂装载在多孔或中空的金属纳米球、具有介孔结构的有机物、有机‑无机复合物或聚合物中，在钙钛矿太阳能电池运行过程中缺陷钝化剂会逐步释放，从而提升缺陷钝化剂的作用时间，达到延长钙钛矿太阳能电池器件运行时间的效果。