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公开(公告)号：CN103060752A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310025713.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的预镀层辅助制备方法及其应用。该方法采用热蒸镀技术制备预镀层，通过预镀层厚度和退火工艺等的调节，实现使预镀层具有均匀分布的岛状晶粒结构及对其晶粒间距的有效控制，再以CsI(Tl)粉末为原料，采用热蒸镀，在镀有预镀层的衬底上制备后续闪烁薄膜，实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，满足高空间分辨率和高探测效率要求。本发明得到具有微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN102466527A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010533348.9
申请日：2010-11-05
Applicant: 同济大学
IPC: G01K11/30
Abstract: 一种用于中子共振透射谱测温数据处理分析的系统，该系统包括拟合分析模块、面积法分析求解模块、优化厚度求解模块、温度灵敏度与误差数值模拟模块、以及扩展功能模块。应用该系统可对实验中子共振透射谱数据进行多种方法的处理分析获得样品温度等关键参数值，也可对共振测温实验进行数值模拟，以优化实验方案。本发明还公开了一种用于中子共振透射谱测温数据处理分析的方法。使用本发明系统的不同功能模块，可对实验中子共振透射谱数据进行多种方法的处理分析，获得样品温度等关键参数值，也可对共振测温实验进行数值模拟，以优化实验方案。
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公开(公告)号：CN100567450C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710047796.6
申请日：2007-11-02
Applicant: 同济大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明属于发光厚膜制备技术领域，具体说是涉及一种钽酸钆透明发光厚膜及其制备方法。该发光薄膜的化学表达式为：Gd1-xRxTaO4，其中R为Eu3+或Tb3+，0.04≤x≤0.12。具体步骤为：将Gd2O3和Eu2O3或Gd2O3和Tb4O7用硝酸的2-甲氧基乙醇溶液加热溶解；TaCl5用2-甲氧基乙醇和浓盐酸的混合溶液加热溶解，按化学计量进行混合，冷却至室温，备用；将PVP在室温下溶于2-甲氧基乙醇和去离子水的混合液，再将该溶液滴入前面所述的混合溶液中，搅拌，静置，陈化，即得到镀膜所需的溶胶；以石英玻璃为基底，采用旋涂方法镀膜，将旋涂好的湿凝胶膜进行干凝胶化处理，然后在程序温控炉中，以2℃/min的升温速率，从400℃升温至1200℃，并在该温度下保温2小时，自然冷却至室温，即获得所需发光薄膜，该发光薄膜平均单层厚度达到1μm左右。本发明工艺简单、方便，所制备的薄膜发光强度高、均匀透明、致密无开裂、与基底的附着性好。
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公开(公告)号：CN101255599A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710171815.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相，其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值，同时还可以用做快离子导体。
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公开(公告)号：CN113652226A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111004891.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/61 , G01N23/223 , G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种CuI:Cl‑PS复合闪烁体及其制备方法和应用，包括以下步骤：将CuI与CuCl粉末按一定比例充分研磨混合；将混合粉末放置于管式退火炉中进行固相反应，使用氩气作为保护气氛；取出反应后的CuI:Cl粉末并进行研磨、干燥；将CuI:Cl和聚苯乙烯粉末倒入一定量的甲苯中，充分搅拌至PS粉末完全溶解；将混合物倒入模具中，密封保存；将模具放入通风橱中，进行蒸发干燥；对干燥后的复合物进行脱模、切割和抛光；将复合片放入干燥箱中进行退火，最终得到CuI:Cl‑PS复合闪烁体。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、发光稳定性好等优点。所制备的CuI:Cl‑PS复合闪烁体可用于超快硬X射线的探测与成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110068854A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910233857.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种具有嵌套式微球阵列光子结构表面的闪烁体器件，包括闪烁体，布置在闪烁体上表面的大尺寸微球阵列，沉积在大尺寸微球阵列上表面的共形层，布置在透明材料上的小尺寸微球阵列。与现有技术相比，本发明的光子结构可以大幅度提高闪烁体的出光效率，并且可以实现批量生产。
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公开(公告)号：CN106772538B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201611031897.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/203
Abstract: 本发明涉及一种利用周期金属结构调控的闪烁体，包括基底层，布置在基底层上的金属周期阵列结构，布置在金属周期阵列结构上的塑料闪烁体，基底层的上表面还镀设有透明介质层，所述的金属周期阵列结构布置在透明介质层的上表面。与现有技术相比，本发明通过在硅基底上增加透明介质层的方法避免了金属周期阵列与硅基底直接接触时导致的过大折射率差，从而有效地避免了过大的衍射损失，最大限度的保持了有效方向性调控时的高的发光效率。
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公开(公告)号：CN106094003B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610338660.X
申请日：2016-05-20
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种复合结构光子晶体闪烁体，由底部闪烁体(101)，布置于底部闪烁体(101)上的光子晶体层(102)和布置于光子晶体层(102)上的顶部闪烁体(103)构成，底部闪烁体(101)为BGO闪烁晶体或CsI:Tl闪烁晶体，顶部闪烁体(103)为塑料闪烁体。与现有技术相比，本发明通过光子晶体调控两种不同波长的闪烁体发光，实现两种闪烁体发光在空间角度上的分离，从而可以采用两套光电探测器分别采集来自伽马射线和中子的闪烁光，从而提升探测系统的甄别测量能力。
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公开(公告)号：CN107356954A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710493560.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/2023
Abstract: 本发明涉及一种具有方向性发光的光子晶体闪烁体器件，包括衬底、布置于其上的光子晶体层、与光子晶体共形的Si层、包裹在Si层外表面的闪烁体层。与现有技术相比，本发明采用固定光子晶体的晶格常数，通过改变Si共形层的厚度实现对不同发光波长闪烁体发光方向性的调控，方法简便。
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