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公开(公告)号：CN108130512A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711165986.8
申请日：2017-11-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
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公开(公告)号：CN103060752B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310025713.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的预镀层辅助制备方法及其应用。该方法采用热蒸镀技术制备预镀层，通过预镀层厚度和退火工艺等的调节，实现使预镀层具有均匀分布的岛状晶粒结构及对其晶粒间距的有效控制，再以CsI(Tl)粉末为原料，采用热蒸镀，在镀有预镀层的衬底上制备后续闪烁薄膜，实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，满足高空间分辨率和高探测效率要求。本发明得到具有微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN103614694A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310586385.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种模板辅助矩阵式微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的制备方法及其应用。该方法使用的模板衬底为刻有矩阵式矩形微孔阵列的硅片，以CsI(Tl)粉末为原料，采用热蒸镀技术，在模板衬底上制备闪烁薄膜，通过对模板衬底上微孔周期等的调控，实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、排列情况等的有效控制，获得了具有矩阵式微柱结构的CsI(Tl)闪烁转换屏，近乎垂直于屏面、结晶性能好、排列规则的闪烁微柱可更好地与后续探测器件耦合，从而使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，可同时满足高空间分辨率和高探测效率的要求。此方法制备得到的具有矩阵式微柱结构的CsI(Tl)闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN102496400A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110442455.5
申请日：2011-12-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种微柱结构碘化铯（掺铊）[化学式：CsI(Tl)]X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用。它提供了一种制备具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的方法，该方法以CsI(Tl)为原料，以石英、光纤面板和光纤锥等为衬底，采用热蒸镀技术，通过蒸镀温度、衬底温度和制备气氛等的调节，实现对转换屏微柱形貌、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，从而使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，可同时满足高空间分辨率和高探测效率的要求。此方法制备得到的具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN100445347C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510030098.6
申请日：2005-09-28
Applicant: 同济大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种高亮度钽酸钆透明发光薄膜及其制备方法，这种发光薄膜的化学表达式为：(Gd1-xMx)TaO4:Eu0.1，其中0＜x＜0.15，M为K、Zn。本发明的原料采用无机盐比有机醇盐更容易获得、更便宜且无毒。本发明采用溶胶-凝胶技术，具有合成温度低、掺杂均匀、结构可控、设备便宜等优点，因此薄膜制备所需的成本低，工艺简单、方便，所制备的薄膜发光强度高、均匀透明、致密无开裂、与基底的附着性好。本发明薄膜主要可用于高空间分辨率X射线显微成像屏上，同时也可以应用于高分辨率阴极射线、场致发射和等离子体显示的显示屏上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1318537C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410066543.X
申请日：2004-09-21
Applicant: 同济大学
IPC: C09K11/00
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸盐透明发光薄膜及其制备方法，这种发光薄膜的化学表达式为：(Ln1-xREx)TaO4，其中0＜x＜0.1；Ln＝Gd、Lu；RE＝Eu、Tb。本发明所采用的溶胶—凝胶技术具有合成温度低、掺杂均匀、结构可控、设备便宜等优点，因此薄膜制备所需的成本低，工艺简单、方便，所制备的薄膜均匀透明、致密无开裂、与基底的附着性好，薄膜制备中通过热分解预处理以及紫外光强化处理，避免薄膜制备过程中所需的保护气氛，从而简化了实验条件，加快厚膜的制备周期，主要用于高空间分辨率X射线显微成像屏上，同时也可以应用于高分辨率阴极射线、场致发射和等离子体显示的显示屏上。
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公开(公告)号：CN110359023B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910682302.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用，该α粒子闪烁转换屏包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子；可应用于高空间和时间分辨率、高信噪比的α粒子探测与成像，尤其是氘氚反应快中子伴随α粒子探测与成像的探测器中。与现有技术相比，本发明的α粒子闪烁转换屏具有发光衰减时间快，空间分辨率高，信噪比高，组份稳定、厚度均匀，附着基底牢固，结构简单、易制备且成本低等优点。
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公开(公告)号：CN105204191B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510598647.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于闪烁探测的导模共振移波器件，包括基底层和基底层上面布置的发光薄膜层，还包括布置在发光薄膜层上面的光子晶体层，光子晶体层由排列排列呈三角构型的周期阵列的介质柱构成，介质柱垂直布置于发光薄膜层上表面，介质柱的材料对发光薄膜层发射的光透明。与现有技术相比，本发明具有高的转换效率和时间分辨能力，又具有高度的光发射方向调控能力，能够提高对紫外等闪烁荧光的探测效率。
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公开(公告)号：CN104851948B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510155285.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 同济大学
IPC: H01L33/26
Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ‑CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ‑CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ‑CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102787296A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210282563.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供一种制备伽玛碘化亚铜超快X射线闪烁转换屏的方法。以高纯CuI为原料，采用真空热蒸镀法和气氛退火工艺，通过选择合适的蒸镀温度、衬底温度、退火处理等工作条件，在石英等衬底上制备γ-CuI闪烁转换屏，所获得的转换屏晶型为γ相，微观形貌呈垂直于衬底的微柱状结构，有利于抑制闪烁光的侧向传播，闪烁峰位于430nm，发光衰减时间为亚纳秒量级，该薄膜组分稳定、厚度均匀、无开裂，在超高速数字化X射线成像方面有着重要的应用价值。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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