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公开(公告)号：CN111458738B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010287089.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种表面微透镜阵列结构调控的闪烁体器件及其制备，该闪烁体器件包括闪烁体，以及布置在闪烁体出光面的微透镜阵列，所述微透镜阵列由多个内部空心、外部为壳层结构的微透镜单元构成。与现有技术相比，本发明的闪烁体器件可以大幅度降低对于闪烁的自吸收，并在光输出方面具有显著的增强比例。
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公开(公告)号：CN108130512B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711165986.8
申请日：2017-11-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
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公开(公告)号：CN109061711A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810924272.9
申请日：2018-08-14
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002
Abstract: 本发明涉及一种具有表面微结构阵列的定向发射闪烁体器件及其制备方法，该器件包括闪烁体基片、布置于闪烁体基片表面的微透镜阵列、在微透镜阵列表面附着的共形无机透明介质层，闪烁体基片的厚度不小于100微米。与现有技术相比，本发明能够在辐射探测器中将显著提高闪烁体在特定方向性上的光输出，进而提升探测系统的灵敏度和信噪比。
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公开(公告)号：CN108535795A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810355439.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体和表面等离激元调控的闪烁体器件，由衬底、衬底上布置的具有粗糙表面的金属层、金属层上布置的微球阵列层和镶嵌于微球阵列层的闪烁体层构成。与现有技术相比，本发明具有提高表面等离激元与闪烁发光层的耦合效率，提升总发光强度，控制发光方向性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105350077B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510683737.2
申请日：2015-10-20
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种利用聚合物模板制备光子晶体闪烁体的方法，包括闪烁体表面聚合物微球阵列的制备、反应离子束刻蚀、镀制覆盖层、去除微球等四个步骤，制备得到相应介质材料的反蛋白石结构光子晶体，即在闪烁体表面获得了具有六角周期孔洞结构的高折率透明介质。与现有技术相比，本发明制备出的光子晶体具有大面积，无聚合物成分，折射率衬度大等优点，即可保证足够的光提取效率，又能够保证在核辐射环境下保持足够的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN105161157A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510566362.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种高光输出闪烁体表面光子结构，包括闪烁体，布置在闪烁体出光面的多孔阳极氧化铝，多孔阳极氧化铝的外表面覆盖高折射率共形致密层，该高折射率共形致密层的折射率n'大于多孔阳极氧化铝的折射率n。与现有技术相比，本发明在闪烁体表面结合多孔阳极氧化铝结构和高折射率共形致密层所形成的光子结构，实现光输出效率的大幅提升，同时由于共形致密层的存在使得整个表面结构与闪烁体表面的结合非常牢固。
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公开(公告)号：CN104851948A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510155285.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 同济大学
IPC: H01L33/26
CPC classification number: H01L33/26
Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ-CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ-CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ-CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN104280761A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410496266.X
申请日：2014-09-25
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用表面光子结构实现的高光提取效率闪烁体。其结构包含：闪烁体层、周期阵列层和覆盖层，其中：周期阵列层与闪烁体层直接接触，布置于其上方，覆盖层与周期阵列层直接接触并与其共形。采用这种表面结构，可使得闪烁体的光输出成倍提高，对于提高闪烁探测系统的灵敏度和信噪比具有非常重要的作用。本发明设计原理清晰明了，材料制备涉及的工艺成熟，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102496400B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110442455.5
申请日：2011-12-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种微柱结构碘化铯（掺铊）[化学式：CsI(Tl)]X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用。它提供了一种制备具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的方法，该方法以CsI(Tl)为原料，以石英、光纤面板和光纤锥等为衬底，采用热蒸镀技术，通过蒸镀温度、衬底温度和制备气氛等的调节，实现对转换屏微柱形貌、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，从而使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，可同时满足高空间分辨率和高探测效率的要求。此方法制备得到的具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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