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公开(公告)号:CN103093844B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310021277.8
申请日:2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料的应用,涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的应用。本发明是要解决现有的辐射防护材料方法制备得到的辐射防护材料,铝防护层存在密度大而导致使用重量大,采用聚乙烯做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差,制约其使用范围的问题。用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料,是由聚乙烯树脂、碳纳米管、纳米钽和偶联剂制备而成。制备:一、将碳纳米管、纳米钽和偶联剂混合得改性碳纳米管和纳米钽;二、混合改性碳纳米管和纳米钽与聚乙烯树脂后热压。材料是用于防护空间质子和电子辐射。在本发明适用于辐射防护领域。
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公开(公告)号:CN102867557B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201210379636.2
申请日:2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法,它涉及一种聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法,本发明是为解决现有的用于空间辐射防护材料的聚乙烯,其热稳定性差,及相同质量厚度下,纯铝过滤质子的效率低的技术问题,本发明的制备方法为:先将乙醇和氮化硼加入容器内,再加入偶联剂,在恒温水中反应,得到改性氮化硼,最后将聚乙烯与改性氮化硼加入到高混机中,得到氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料,本发明制备的一种氮化硼-聚乙烯复合材料的热降解温度为430~520℃,热稳定性能好,且滤质子的效率与纯铝相比提高了将近0.4~1倍,综合性能优异,在航天器辐射防护上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN103871873A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410135985.9
申请日:2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/0808
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大,双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术,制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构,能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响,显著增强双极器件的抗辐照能力,同比增强了2-5倍。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号:CN1598620A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410043773.4
申请日:2004-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多功能复合光学纳米膜,它涉及一种光学器件表面的膜。现有的膜在长期接受空间辐射环境作用后,这些薄膜会着色,光谱透过率明显下降。本发明各成分所占重量份数分别为:钛酸四丁酯1-4份,无水乙醇3-9份,乙酰丙酮3-9份,二甲基甲酰胺0.001-1份,盐酸0.01-1份,冰醋酸0.1-1份,0.02-1份的水,ZrCl40.001-0.04份,LaCl30.003-0.05份,In(NO3)30.0001-0.001份,SnCl40.00001-0.0004份。本发明制备的光学纳米膜中,纳米结构的尺寸可达到20-30nm;薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到85%以上;在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下光谱透过滤下降小于10%,使用本发明的纳米膜,可以延长光学器件的使用寿命,利于推广应用。
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公开(公告)号:CN103887330B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201410136051.7
申请日:2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法,属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应,双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接,从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的;本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法,在保留了传统的双极器件制备工艺的同时,制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号:CN103871873B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201410135985.9
申请日:2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大,双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术,制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构,能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响,显著增强双极器件的抗辐照能力,同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号:CN103050162B
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201310021276.3
申请日:2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料,本发明涉及复合材料。本发明是要解决现有应用于航天器中的空间辐射防护材料对于中子辐照的防护效果差的技术问题。材料由聚乙烯树脂、纳米钽、纳米氮化硼、偶联剂和无水乙醇制成;方法:一、称取;二、制备混合液;三、制得改性的纳米钽/纳米氮化硼;四、制得纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料。本发明得到的纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料,热稳定性能好,对中子的空间防护能力优异。本发明制备的纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料用于航天器辐射防护领域。
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公开(公告)号:CN103887171A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410136054.0
申请日:2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/3105
Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法,涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中,由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响,导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤:步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管,并在双极晶体管上形成第一钝化层;步骤二、第一钝化层形成后,采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层;步骤三、对第二钝化层进行离子注入;步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
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公开(公告)号:CN103884945A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410136016.5
申请日:2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法,涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长,导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单,易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单,易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用,同比降低了15%以上,也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据,减小过剩基极电流和电流增益产生的影响,同比减小了15%,对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号:CN103869199A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410136726.8
申请日:2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法,涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力,导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律,根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度,获得氢气浸泡的时间与氢气浓度,通过氢气浸泡、加热,加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生,从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用,达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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