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公开(公告)号：CN103870664A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135842.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明用于空间辐照环境中。
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公开(公告)号：CN103149581A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310024923.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 空间三维结构器件位移吸收剂量的计算方法，本发明涉及位移吸收剂量的计算方法。本发明要解决现有的计算位移吸收剂量的方法成本高、准确性差的技术问题。该方法：一、测定空间三维结构器件所接受的辐射的能谱；二、计算位移吸收剂量随铝深度分布曲线；三、确定空间三维结构仪器中所有构件的性质；四、确定构件的计算点；五、以计算点为球坐标的极点进行剖分确定极线；六、将极线上的材料等效为铝，计算极线上的位移吸收剂量值；七、将所有极线上的位移吸收剂量值加和，得该计算点的位移吸收剂量；八、重复步骤五至七，得到空间三维结构仪器中所有计算点的位移吸收剂量值。本发明进行空间轨道带电粒子的辐照环境下的位移吸收剂量计算。
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公开(公告)号：CN103091698A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310024924.0
申请日：2013-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/29
Abstract: 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，它涉及涉及一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，本发明是为解决现有的辐照试验检测方法一次只能检测一种入射粒子束流的辐照通量，当质子/电子综合辐照时，束流积分仪无法显示相应的辐照通量的技术问题，合成方法如下：a确定综合辐照源能量，b确定检测材料，c计算综合辐照源在检测材料中的射程，d根据射程确定检测材料的厚度，e然后通过束流积分仪检测得到质子/电子综合辐照束流注量，解决了现有综合辐照检测方法，当通量近似的两种入射粒子同时辐照时，束流积分仪无法显示的问题，可以同时检测不同的辐照粒子束流的注量，检测方法操作简单，准确性高，可应用于地面综合辐照试验中。
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公开(公告)号：CN102867557A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210379636.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料及其制备方法，它涉及一种聚乙烯空间辐射防护复合材料及其制备方法，本发明是为解决现有的用于空间辐射防护材料的聚乙烯，其热稳定性差，及相同质量厚度下，纯铝过滤质子的效率低的技术问题，本发明的制备方法为：先将乙醇和氮化硼加入容器内，再加入偶联剂，在恒温水中反应，得到改性氮化硼，最后将聚乙烯与改性氮化硼加入到高混机中，得到氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料，本发明制备的一种氮化硼-聚乙烯复合材料的热降解温度为430~520℃，热稳定性能好，且滤质子的效率与纯铝相比提高了将近0.4~1倍，综合性能优异，在航天器辐射防护上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100385258C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410043737.8
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗辐射导电光学防护膜，它涉及一种在光学器件表面使用的防护膜。现有防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，光谱透过率明显下降，且当航天器遇磁层亚暴环境时，表面被充电，当放电脉冲耦合进入电子系统时造成航天器故障。本发明的各成分按重量份数计：无水乙醇1～4份，乙酰丙酮2～6份，甲酰胺0.02～1份，盐酸0.01～3份，In(NO3)30.0001～0.001份，SnCl40.00001～0.0004份，Ce(NO3)30.0002～0.004份，LaCl30.0003～0.005份。本发明利用Ce、La、Sn、In元素特性制备的多元素氧化物复合膜，具有高的导电性能、抗辐射性能和光学性能稳定性，在可见及近红外区的光谱透过率达到92%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1598619A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043737.8
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗辐射导电光学防护膜，它涉及一种在光学器件表面使用的防护膜。现有防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，光谱透过率明显下降，且当航天器遇磁层亚暴环境时，表面被充电，当放电脉冲耦合进入电子系统时造成航天器故障。本发明的各成分按重量份数计：无水乙醇1～4份，乙酰丙酮2～6份，甲酰胺0.02～1份，盐酸0.01～3份，In(NO3)30.0001～0.001份，SnCl40.00001～0.0004份，Ce(NO3)30.0002～0.004份，LaCl30.0003～0.005份。本发明利用Ce、La、Sn、In元素特性制备的多元素氧化物复合膜，具有高的导电性能、抗辐射性能和光学性能稳定性，在可见及近红外区的光谱透过率达到92％以上。
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公开(公告)号：CN103887155B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410135934.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN103091698B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310024924.0
申请日：2013-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/29
Abstract: 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，它涉及一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，本发明是为解决现有的辐照试验检测方法一次只能检测一种入射粒子束流的辐照通量，当质子/电子综合辐照时，束流积分仪无法显示相应的辐照通量的技术问题，合成方法如下：a确定综合辐照源能量，b确定检测材料，c计算综合辐照源在检测材料中的射程，d根据射程确定检测材料的厚度，e然后通过束流积分仪检测得到质子/电子综合辐照束流注量，解决了现有综合辐照检测方法，当通量近似的两种入射粒子同时辐照时，束流积分仪无法显示的问题，可以同时检测不同的辐照粒子束流的注量，检测方法操作简单，准确性高，可应用于地面综合辐照试验中。
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公开(公告)号：CN103116176A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310024890.5
申请日：2013-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法，本发明涉及电子元器件的模拟试验方法。本发明是要解决现有的电子元器件辐照效应地面模拟试验误差大的技术问题。本方法：一、测定电子元器件所接受的轨道带电粒子能谱；二、利用Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算经防护层后到达电子元器件表面的在轨电离及位移吸收剂量D1；三、确定电子元器件敏感区厚度；四、确定所选试验条件下的粒子种类及能量，通过Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算敏感区在试验条件下的电离或位移吸收剂量D2；五、按D1＝D2，计算实验室条件下的等效注量Φ和辐照时间t。本发明的方法用于电子元器件的模拟试验。
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公开(公告)号：CN1261775C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200410043773.4
申请日：2004-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多功能复合光学纳米膜，它涉及一种光学器件表面的膜。现有的膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。本发明各成分所占重量份数分别为：钛酸四丁酯1-4份，无水乙醇3-9份，乙酰丙酮3-9份，二甲基甲酰胺0.001-1份，盐酸0.01-1份，冰醋酸0.1-1份，0.02-1份的水，ZrCl40.001-0.04份，LaCl30.003-0.05份，In(NO3)30.0001-0.001份，SnCl40.00001-0.0004份。本发明制备的光学纳米膜中，纳米结构的尺寸可达到20-30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到85%以上；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下光谱透过率下降小于10%，使用本发明的纳米膜，可以延长光学器件的使用寿命，利于推广应用。
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