-
公开(公告)号：CN1293014C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510010085.2
申请日：2005-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03B32/02
Abstract: 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50%，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。
-
公开(公告)号：CN101805171B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010160426.5
申请日：2010-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: SiBOC先驱体的制备方法，它涉及一种先驱体的制备方法。本发明解决了现有方法制备得到的SiBOC先驱体可纺性差，制备具有理想化学组成和均匀结构的陶瓷制品较困难的问题。方法：一、制备烷氧基硅氧烷；二、制备SiBOC先驱体。本发明制备得到的SiBOC先驱体可纺性好，可制备得到直径约为10μm、圆形截面的连续纤维，制备得到的纤维性能好，且用本发明的SiBOC先驱体能够制备具有优异力学性能和高温稳定性的SiBOC陶瓷制品。
-
公开(公告)号：CN101717077B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910310305.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的制备方法，它涉及一种纳米管的制备方法。本发明解决了现有方法得到的硼纳米管产率低的问题。本方法如下：将氨硼烷和催化剂的混合粉末或氨硼烷加入到以石墨纸或滤纸为内衬的坩埚中，再将坩埚置于气压炉中，向气压炉内充入高纯氮气，然后以5℃/min～30℃/min的升温速度升温，再保温，然后冷却至室温，即得氮化硼纳米管。本发明方法制备氮化硼纳米管的产率为60％～85％。
-
公开(公告)号：CN101817971A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010184684.7
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳微米管环氧树脂吸波复合材料及其制备方法，它涉及吸波复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的活性碳纤维环氧树脂复合吸波材料的制备过程繁琐、密度大及纺丝法制备出的中空纤维弹性模量低，吸波材料强度差的问题。本发明的复合材料由碳微米管和环氧树脂胶制成；方法：用尿素和乙二醇制备碳微米管；由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺制备环氧树脂胶；再将碳微米管加入到环氧树脂胶中，搅拌均匀后加入到模具中压制得到复合材料。该材料的弹性模量10～20GPa，密度1.00～1.05g/cm3，最低反射率为-13.25dB，其
-
公开(公告)号：CN101104518B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710072702.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/08 , C01B21/082 , C04B35/5835 , C04B35/14
Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101550012A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910072021.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/515
Abstract: SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。
-
公开(公告)号：CN1724453A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510010085.2
申请日：2005-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03B32/02
Abstract: 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50％，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。
-
公开(公告)号：CN101805171A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010160426.5
申请日：2010-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: SiBOC先驱体的制备方法，它涉及一种先驱体的制备方法。本发明解决了现有方法制备得到的SiBOC先驱体可纺性差，制备具有理想化学组成和均匀结构的陶瓷制品较困难的问题。方法：一、制备烷氧基硅氧烷；二、制备SiBOC先驱体。本发明制备得到的SiBOC先驱体可纺性好，可制备得到直径约为10μm、圆形截面的连续纤维，制备得到的纤维性能好，且用本发明的SiBOC先驱体能够制备具有优异力学性能和高温稳定性的SiBOC陶瓷制品。
-
公开(公告)号：CN101224877A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063928.9
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
-
公开(公告)号：CN101550012B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910072021.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/515
Abstract: SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.029 seconds)
