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公开(公告)号：CN103247685B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310045924.9
申请日：2013-02-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及替代栅极鳍片结构和方法。鳍片场效应晶体管（鳍片FET）结构和制造包括硅鳍片的鳍片FET的方法，该硅鳍片包括沟道区域和在沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极（S/D）区域，其中沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面并且S/D区域的底表面接触下硅锗（SiGe）层的顶表面的第一部分。鳍片FET结构还包括外部S/D区域，其接触每个S/D区域的顶表面和两个侧表面以及下SiGe层的顶表面的第二部分。鳍片FET结构还包括替代栅极或者栅极叠层，其接触在沟道区域的顶表面和两个侧表面上形成的保形介质，该栅极叠层被设置在下绝缘体之上且不在下SiGe层的第一和第二部分之上，其中替代栅极与外部S/D区域通过保形介质电绝缘。
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公开(公告)号：CN101159289B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710154424.3
申请日：2007-09-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78612 , H01L29/66772 , H01L29/78621 , H01L29/78648
Abstract: 一种FET具有浅源极/漏极区域、深沟道区域、栅极叠层和被介质围绕的背栅极。所述FET结构还包括延伸通过所述沟道区域的整个深度的晕圈或袋注入。因为所述沟道的所述晕圈和阱掺杂的一部分比所述源极/漏极深度深，因此可以获得更好的阈值电压和工艺控制。还提供了一种具有在所述浅源极/漏极之下在所述沟道区域和所述背栅极之间延伸的所述结构中的第一介质层的背选通FET结构。所述第一介质层从所述源极/漏极区域之下在所述背栅极的任一侧上延伸并与第二介质层接触以便介质在每一侧约束或隔离所述背栅极。
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公开(公告)号：CN1691294A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510055456.9
申请日：2005-03-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/42368 , H01L29/42384 , H01L29/66795 , H01L29/7856
Abstract: 一种制造在前栅极侧面和背栅极侧面上具有不同的介质层厚度的背栅极化鳍片场效应晶体管的方法，包括在鳍片场效应晶体管的鳍片的至少一侧引入杂质，以使得形成具有不同厚度的介质层。可以通过注入来引入的杂质增强或阻碍介质的形成。
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公开(公告)号：CN1272689A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00106468.1
申请日：2000-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/26533 , H01L21/76232 , H01L21/76264 , H01L21/76267 , H01L21/76283
Abstract: 一种半导体结构及制作方法,包括具有连续掩埋氧化物层和多个沟槽绝缘结构的衬底。掩埋氧化物层可以位于衬底内多于一个深度的位置。沟槽绝缘结构的几何尺寸可以随深度变化。沟槽绝缘结构可以接触或不接触掩埋氧化物层。沟槽绝缘结构可以进入衬底相同或不同的深度。沟槽绝缘结构提供衬底内各区之间的绝缘分隔,被分开的区可以包含半导体器件。这种结构易于提供在共用晶片上的数字和模拟器件。双重深度掩埋氧化物层易于制作非对称半导体结构。
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公开(公告)号：CN101258592B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680026427.2
申请日：2006-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/0811 , H01L28/40 , H01L29/78648 , Y10T436/235 , Y10T436/25125 , Y10T436/2525 , Y10T436/25375
Abstract: 一种用于双栅极CMOS结构的制造方法和器件。所述结构包括在绝缘层(100)中的第一板(106a-d)和在所述绝缘层之上电对应所述第一板的第二板(110a-d)。隔离结构(108a-d)在所述第一板与所述第二板之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101162735B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710149162.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L29/66772 , H01L29/78654
Abstract: 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。所述场效应晶体管包括：硅体，所述硅体的周边邻接介质绝缘物；源极和漏极，其被形成在所述硅体中并在所述硅体中形成的沟道的相对的侧上；以及栅极介质层，其在所述硅体与导电栅极电极之间，所述栅极介质层的底表面与所述硅体的顶表面直接物理接触并且所述栅极电极的底表面与所述栅极介质层的顶表面直接物理接触，所述栅极电极具有第一厚度的第一区域和第二厚度的第二区域，所述第一区域沿在所述沟道区域之上的所述栅极介质层的所述顶表面延伸，所述第二厚度大于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN100483734C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
Abstract: 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN101162735A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710149162.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L29/66772 , H01L29/78654
Abstract: 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。所述场效应晶体管包括：硅体，所述硅体的周边邻接介质绝缘物；源极和漏极，其被形成在所述硅体中并在所述硅体中形成的沟道的相对的侧上；以及栅极介质层，其在所述硅体与导电栅极电极之间，所述栅极介质层的底表面与所述硅体的顶表面直接物理接触并且所述栅极电极的底表面与所述栅极介质层的顶表面直接物理接触，所述栅极电极具有第一厚度的第一区域和第二厚度的第二区域，所述第一区域沿在所述沟道区域之上的所述栅极介质层的所述顶表面延伸，所述第二厚度大于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN100550349C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610144476.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L29/66772
Abstract: 一种用于制造旋转场效应晶体管的装置和方法。该方法包括提供衬底，所述衬底包括相互不平行的第一栅极结构和第二栅极结构。该方法还包括与所述第一栅极结构的边缘基本上垂直地进行第一离子注入，以形成第一杂质区，以及在不同于所述第一离子注入的方向且与所述第二栅极结构的边缘基本上垂直的方向进行第二离子注入，以在所述第二栅极结构的边缘下方形成第二杂质区。
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公开(公告)号：CN101159289A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710154424.3
申请日：2007-09-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78612 , H01L29/66772 , H01L29/78621 , H01L29/78648
Abstract: 一种FET具有浅源极/漏极区域、深沟道区域、栅极叠层和被介质围绕的背栅极。所述FET结构还包括延伸通过所述沟道区域的整个深度的晕圈或袋注入。因为所述沟道的所述晕圈和阱掺杂的一部分比所述源极/漏极深度深，因此可以获得更好的阈值电压和工艺控制。还提供了一种具有在所述浅源极/漏极之下在所述沟道区域和所述背栅极之间延伸的所述结构中的第一介质层的背选通FET结构。所述第一介质层从所述源极/漏极区域之下在所述背栅极的任一侧上延伸并与第二介质层接触以便介质在每一侧约束或隔离所述背栅极。
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